Triak NXP Semiconductors BTA2008-800E,412 BTA2008-800E,412 Rodzaj obudowy TO-92-3

  • Nr produktu: 1113480
  • Nr producenta: BTA2008-800E,412
  • EAN: 2050003472487
Wydaj 199 zł i skorzystaj z darmowej dostawy.

W czym możemy pomóc?

  • Bezpieczne płatności
  • Zaufany sklep
  • Certyfikowany sprzedawca
  • Gwarancja
  • 20 dni na zwrot
Rodzaj (typ producenta) BTA2008-800E,412
Obudowa TO-92-3
Producent NXP Semiconductors
Kod producenta NXP
Typ tyrystora Tyrystor (SCR) - TRIAC
U(DRM) 800 V
Napięcie zapłonowe U(GT) 2 V
Prąd zapłonu I(GT) 10 mA
I(T)(RMS) 800 mA
Prąd I(H) 12 mA
I(TSM 50 Hz) 9 A
I(TSM 60 Hz) 10 A
Szybkość narastania prądu przewodzenia di(T)/dt 100 A/µs
Maksymalna temperatura robocza +125 °C
Rodzaj montażu do montażu w otworach
Typ BTA2008-800E,412
Rodzaj obudowy TO-92-3

Dane techniczne

Rodzaj (typ producenta) BTA2008-800E,412
Obudowa TO-92-3
Producent NXP Semiconductors
Kod producenta NXP
Typ tyrystora Tyrystor (SCR) - TRIAC
U(DRM) 800 V
Napięcie zapłonowe U(GT) 2 V
Prąd zapłonu I(GT) 10 mA
I(T)(RMS) 800 mA
Prąd I(H) 12 mA

Do pobrania

Produkty podobne

Zobacz pozostałe produkty w kategorii Triaki

W czym możemy pomóc?