Link bezpośredni
  • Conrad
  • Moje konto

    Zaloguj / Rejestracja

  • Koszyk

  • Wyprzedaż - sprawdź najlepsze okazje cenowe! Wyprzedaż - sprawdź najlepsze okazje cenowe!
  • Kategorie tematyczne
    Przemysł
    Infrastruktura
    Serwisy profesjonalne
  • Oferta
    Conrad - Your Sourcing Platform
    Promocje
    Wyprzedaż
    Nowości
    Bestsellery
    Strefa Porad
  • Serwisy
    E-Procurement
    Zapytanie ofertowe
    Produkty spoza katalogu
    Przedłużona gwarancja
    Serwis kalibracji
    Role Management System
  • Nasze produkty
  • Moje konto
  • Lista obserwowanych
  • Wyloguj
Conrad
bulkycostscartcheckbox-checkedcheckbox-uncheckedclosecomparison Folder home hook iso list Magnifier NEU picto-table tooltip warning wishlist
Rodzaj produktu
MOSFET919
IGBT2
MOSFET/IGBT1
Tranzystor - JFET1
Cena
zł - zł
Marka
Infineon Technologies347
Vishay137
Diotec128
Taiwan Semiconductor94
STMicroelectronics75
Littelfuse69
ON Semiconductor54
DIODES Incorporated12
IXYS3
MCC3
Kemo1
Moc (maks) P(TOT)
W - W
0.2 W5
225 mW2
0.25 W4
0.275 W1
0.31 W1
0.35 W8
350 mW7
360 mW7
0.36 W6
400 mW2
0.4 W1
0.41 W1
0.5 W4
500 mW1
0.53 W1
540 mW2
700 mW1
710 mW1
0.75 W1
800 mW1
830 mW2
0.9 W1
900 mW1
0.96 W1
1 W5
1.0 W1
1.1 W1
1.25 W10
1.3 W12
1.4 W5
1.5 W5
1.56 W1
1.6 W2
1.7 W3
1.78 W1
1.8 W10
1.9 W1
2.0 W16
2 W4
2.1 W5
2.3 W1
2.4 W1
2.5 W18
2.8 W1
3 W2
3.1 W6
3.75 W1
3.8 W5
4 W3
4.2 W2
5 W8
5.7 W2
6 W3
6.3 W1
6.6 W1
7.8 W1
8 W2
10.8 W1
13 W1
14 W1
16 W3
17 W1
20 W1
21 W1
22 W1
22.7 W2
24 W1
25 W21
28 W3
29 W1
29.7 W2
30 W2
31 W5
32 W1
34 W3
35 W4
35.7 W2
36 W2
38 W2
39 W2
40 W9
41 W1
41.67 W1
41.7 W1
42 W10
43 W5
44 W1
45 W15
46 W3
48 W6
48.3 W2
50 W5
51 W1
52 W3
54 W5
60 W5
62 W2
62.5 W2
63 W1
66 W3
68 W8
69 W2
70 W4
71 W3
74 W6
75 W5
78 W1
79 W5
80 W3
82 W2
83 W5
85 W1
86 W1
88 W2
90 W6
91 W1
92 W1
94 W2
95 W2
98 W1
99 W3
100 W3
101 W1
107 W1
110 W27
115 W2
120 W4
125 W23
128 W1
130 W9
131 W1
135 W2
140 W16
143 W2
144 W5
150 W18
151 W4
156 W1
160 W10
170 W9
176 W3
178 W1
180 W7
190 W11
192 W1
200 W18
208 W4
214 W1
220 W1
227 W1
230 W20
231 W1
235 W1
245 W1
250 W4
277 W1
278 W3
280 W7
290 W1
294 W4
298 W1
300 W15
310 W4
312 W1
312.5 W1
320 W2
330 W4
333 W1
340 W1
341 W4
350 W3
357 W1
360 W7
370 W8
375 W18
380 W6
390 W5
391 W1
400 W5
425 W1
446 W3
460 W1
470 W1
480 W4
481 W2
517 W1
520 W4
580 W1
595 W2
625 W2
780 W2
800 W1
940 W2
960 W2
1040 W1
1170 W1
1250 W1
1500 W1
Natężenie odniesienia R(DS)(on)
A - A
-10 A9
-20 A7
-3 A4
-4 A4
-1 A3
-30 A3
-15 A1
-2 A1
-6 A1
0 A4
0.1 mA1
0.0416666666666667 A10
0.1 A1
120 mA1
0.125 A3
0.166666666666667 A2
170 mA2
190 mA1
200 mA3
220 mA2
0.291666666666667 A3
330 mA1
0.333333333333333 A2
400 mA1
0.416666666666667 A5
500 mA5
660 mA1
910 mA1
930 mA1
1.2 A2
1.25 A1
1.4 A1
1.5 A3
1.6 A1
1.9 A2
2 A1
2.2 A2
2.3 A1
2.4 A1
2.5 A3
2.6 A1
2.7 A2
2.75 A1
2.8 A2
2.9 A2
3 A1
3.1 A2
3.3 A1
3.4 A2
3.5 A1
3.6 A2
3.7 A2
4 A2
4.1 A2
4.2 A1
4.3 A2
4.5 A2
4.8 A3
5 A1
5.2 A1
5.4 A2
5.5 A3
5.7 A1
6 A2
6.3 A1
6.6 A3
7.2 A3
8.4 A5
8.5 A1
8.6 A1
9 A2
9.2 A1
9.6 A1
10 A6
11 A7
12 A4
13 A3
13.5 A1
14 A1
15 A5
16 A7
17 A3
18 A3
20 A10
21 A1
22 A3
23 A5
23.5 A1
24 A5
25 A4
25.5 A1
26 A1
28 A4
30 A9
31 A1
32 A1
33 A3
35 A4
38 A2
40 A7
41 A1
42 A1
44 A2
45 A2
46 A3
47 A1
50 A6
52 A1
56 A1
57 A1
58 A1
59 A1
60 A2
62 A2
65 A1
66 A1
70 A2
75 A16
76 A1
78 A1
100 A9
101 A1
110 A2
121 A1
125 A1
165 A1
170 A1
180 A1
195 A2
U(DSS)
V - V
-40 V14
-60 V10
-30 V8
-20 V4
-100 V3
-50 V2
-200 V1
12 V1
20 V11
24 V1
25 V2
30 V37
40 V23
45 V2
50 V6
55 V28
60 V69
65 V9
75 V12
80 V3
85 V1
90 V1
100 V53
150 V29
200 V26
250 V8
300 V3
400 V10
500 V26
600 V27
650 V7
800 V3
900 V2
1000 V5
Typ obudowy półprzewodnika
Sposób montażu
Wykonanie
R(DS) wł.
U(GS)(th) max.
Opakowanie
C(ISS)
Certyfikaty
Najczęściej wyszukiwane kategorie:
Nowości i promocje

Tranzystory Polowe Mosfet

923 Wyniki wyszukiwania

 
Szczegóły
Cena
Dostępność
Opakowanie
Typ obudowy półprzewodnika
U(GS)(th) max.
C(ISS)
Natężenie odniesienia R(DS)(on)
R(DS) wł.
Moc (maks) P(TOT)
Sposób montażu
U(DSS)
Wykonanie
Certyfikaty
MOSFET Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1   N/A N/A
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1 N/A N/A

-59%
0,85 zł
0,35201 zł
brutto
2770 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
taśma na dużej rolce
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRLML6244TRPBF, SOT-23, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRLML6244TRPBF, SOT-23, kanał N

sztukaCena złOszczędność
11,87-
301,766% = 3,30 zł
50+1,6313% = 12,00 zł
11,87-
301,766% = 3,30 zł
501,6313% = 12,00 zł
1001,5915% = 28,00 zł
2001,5418% = 66,00 zł
4001,4821% = 156,00 zł
10001,3926% = 480,00 zł
brutto
441 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 10
-
SOT-23
1.1 V
700 pF
6.3 A
21 mΩ
1.3 W
montaż na powierzchni
20 V
Kanał-N
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB4110PBF, TO- 220AB, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB4110PBF, TO- 220AB, kanał N

sztukaCena złOszczędność
111,49-
1010,687% = 8,10 zł
25+10,3110% = 29,50 zł
111,49-
1010,687% = 8,10 zł
2510,3110% = 29,50 zł
5010,0612% = 71,50 zł
1009,7915% = 170,00 zł
5009,4817% = 1005,00 zł
10009,1321% = 2360,00 zł
brutto
74 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4 V
9620 pF
75 A
4.5 mΩ
370 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-N
-
Zestaw tranzystorów Power MOSFET i IGBT Kemo S106   N/A N/A Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106]
Zdjęcie poglądowe

Zestaw tranzystorów Power MOSFET i IGBT Kemo S106 N/A N/A Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106]

sztukaCena złOszczędność
134,39-
532,306% = 10,45 zł
10+31,818% = 25,80 zł
134,39-
532,306% = 10,45 zł
1031,818% = 25,80 zł
2531,259% = 78,50 zł
5030,6211% = 188,50 zł
10029,5814% = 481,00 zł
brutto
62 Opakowań w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRLB3813PBF, TO- 220AB, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRLB3813PBF, TO- 220AB, kanał N

sztukaCena złOszczędność
17,75-
107,207% = 5,50 zł
25+6,9510% = 20,00 zł
17,75-
107,207% = 5,50 zł
256,9510% = 20,00 zł
506,7912% = 48,00 zł
1006,6015% = 115,00 zł
5006,3918% = 680,00 zł
10006,1621% = 1590,00 zł
brutto
69 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
2.35 V
8420 pF
60 A
1.95 mΩ
230 W
do montażu w otworach
30 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 540 N, kanał N, TO 220
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 540 N, kanał N, TO 220

3,45 zł
brutto
622 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220
4 V
1960 pF
16 A
44 mΩ
130 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-N
-
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF1404
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF1404

5,72 zł
brutto
162 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4 V
5669 pF
121 A
4 mΩ
333 W
do montażu w otworach
40 V
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies IRFB7434PBF   N/A N/A IRFB7434PBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies IRFB7434PBF N/A N/A IRFB7434PBF

6,21 zł
brutto
24 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220
3.9 V
10820 pF
100 A
1.6 mΩ
294 W
do montażu w otworach
40 V
Kanał-N
-
Vishay SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET
Zdjęcie poglądowe

Vishay SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET

-81%
3,58 zł
0,69 zł
brutto
2843 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
SOT-23-3
3 V
210 pF
1.25 A
345 mΩ
1.7 W
montaż na powierzchni
60 V
Kanał-P
-
MOSFET Infineon Technologies IRFB3006PBF   N/A N/A IRFB3006PBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies IRFB3006PBF N/A N/A IRFB3006PBF

sztukaCena złOszczędność
110,39-
109,667% = 7,30 zł
25+9,3210% = 26,75 zł
110,39-
109,667% = 7,30 zł
259,3210% = 26,75 zł
509,1012% = 64,50 zł
1008,8515% = 154,00 zł
5008,5718% = 910,00 zł
10008,2621% = 2130,00 zł
brutto
76 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4 V
8970 pF
170 A
2.5 mΩ
375 W
do montażu w otworach
60 V
Kanał-N
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB4115PBF, TO- 220AB, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB4115PBF, TO- 220AB, kanał N

11,09 zł
brutto
14 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
5 V
5270 pF
62 A
11 mΩ
380 W
do montażu w otworach
150 V
Kanał-N
-
MOSFET ON Semiconductor 2N7000TA   N/A N/A 2N7000TA
Zdjęcie poglądowe

MOSFET ON Semiconductor 2N7000TA N/A N/A 2N7000TA

-74%
1,67 zł
0,44 zł
brutto
1465 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-92-3
3 V
50 pF
500 mA
5 Ω
400 mW
do montażu w otworach
60 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFP 9240, kanał P, TO 247, I(D) 12 A, U(DS) 200 V
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFP 9240, kanał P, TO 247, I(D) 12 A, U(DS) 200 V

6,12 zł
brutto
153 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-247
4 V
1200 pF
7.2 A
500 mΩ
150 W
do montażu w otworach
200 V
Kanał-P
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRLB3034PBF, TO- 220AB, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRLB3034PBF, TO- 220AB, kanał N

11,49 zł
brutto
617 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
2.5 V
10315 pF
195 A
1.7 mΩ
375 W
do montażu w otworach
40 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF 1404 Z, kanał N, TO 220 AB
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF 1404 Z, kanał N, TO 220 AB

sztukaCena złOszczędność
16,08-
105,657% = 4,30 zł
25+5,4610% = 15,50 zł
16,08-
105,657% = 4,30 zł
255,4610% = 15,50 zł
505,3312% = 37,50 zł
brutto
101 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4 V
4340 pF
75 A
3.7 mΩ
200 W
do montażu w otworach
40 V
Kanał-N
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRFP4468PBF, TO- 247 AC, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRFP4468PBF, TO- 247 AC, kanał N

sztukaCena złOszczędność
129,49-
527,706% = 8,95 zł
10+27,287% = 22,10 zł
129,49-
527,706% = 8,95 zł
1027,287% = 22,10 zł
2526,799% = 67,50 zł
5026,2611% = 161,50 zł
10025,3614% = 413,00 zł
brutto
15 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-247AC
4 V
19860 pF
180 A
2.6 mΩ
520 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 12 N 10 L, TO 220 AB, I(D) 12 A, U(DS) 100
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 12 N 10 L, TO 220 AB, I(D) 12 A, U(DS) 100

sztukaCena złOszczędność
15,77-
105,367% = 4,10 zł
25+5,1810% = 14,75 zł
15,77-
105,367% = 4,10 zł
255,1810% = 14,75 zł
brutto
612 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
2 V
900 pF
12 A
200 mΩ
60 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies IRFB7437PBF   N/A N/A IRFB7437PBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies IRFB7437PBF N/A N/A IRFB7437PBF

sztukaCena złOszczędność
17,18-
106,677% = 5,10 zł
25+6,4410% = 18,50 zł
17,18-
106,677% = 5,10 zł
256,4410% = 18,50 zł
506,2912% = 44,50 zł
1006,1215% = 106,00 zł
5005,9218% = 630,00 zł
10005,7120% = 1470,00 zł
brutto
55 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220
3.9 V
7330 pF
100 A
2 mΩ
230 W
do montażu w otworach
40 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET (HEXFET) Vishay IRF 740, kanał N, TO 220, I(D) 10 A, U(DS) 400 V
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET (HEXFET) Vishay IRF 740, kanał N, TO 220, I(D) 10 A, U(DS) 400 V

sztukaCena złOszczędność
16,39-
105,947% = 4,50 zł
25+5,7310% = 16,50 zł
16,39-
105,947% = 4,50 zł
255,7310% = 16,50 zł
505,6012% = 39,50 zł
1005,4415% = 95,00 zł
5005,2718% = 560,00 zł
10005,0821% = 1310,00 zł
brutto
139 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220
4 V
1400 pF
6 A
550 mΩ
125 W
do montażu w otworach
400 V
Kanał-N
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRFP4110PBF, TO- 247 AC, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRFP4110PBF, TO- 247 AC, kanał N

12,29 zł
brutto
93 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-247AC
4 V
9620 pF
75 A
4.5 mΩ
370 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-N
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB3307ZPBF, TO- 220AB, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB3307ZPBF, TO- 220AB, kanał N

-24%
8,73 zł
6,63 zł
brutto
84 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4 V
4750 pF
75 A
5.8 mΩ
230 W
do montażu w otworach
75 V
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies IRFB7446PBF   N/A N/A IRFB7446PBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies IRFB7446PBF N/A N/A IRFB7446PBF

sztukaCena złOszczędność
16,07-
105,647% = 4,30 zł
25+5,4510% = 15,50 zł
16,07-
105,647% = 4,30 zł
255,4510% = 15,50 zł
505,3212% = 37,50 zł
1005,1715% = 90,00 zł
5005,0117% = 530,00 zł
10004,8221% = 1250,00 zł
brutto
12 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220
3.9 V
3183 pF
70 A
3.3 mΩ
99 W
do montażu w otworach
40 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET IRL540N Hexfet TO-220, I(D) 36 A U(DS) 100 V, International Rectifier
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET IRL540N Hexfet TO-220, I(D) 36 A U(DS) 100 V, International Rectifier

sztukaCena złOszczędność
18,68-
108,077% = 6,10 zł
25+7,7910% = 22,25 zł
18,68-
108,077% = 6,10 zł
257,7910% = 22,25 zł
507,6012% = 54,00 zł
1007,3915% = 129,00 zł
5007,1618% = 760,00 zł
10006,9021% = 1780,00 zł
brutto
379 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220
2 V
1800 pF
18 A
44 mΩ
140 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies IRF5305PBF   N/A N/A IRF5305PBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies IRF5305PBF N/A N/A IRF5305PBF

sztukaCena złOszczędność
17,83-
107,287% = 5,50 zł
25+7,0310% = 20,00 zł
17,83-
107,287% = 5,50 zł
257,0310% = 20,00 zł
506,8612% = 48,50 zł
1006,6715% = 116,00 zł
5006,4617% = 685,00 zł
10006,2221% = 1610,00 zł
brutto
168 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4 V
1200 pF
16 A
60 mΩ
110 W
do montażu w otworach
55 V
Kanał-P
-
ON Semiconductor J113   N/A N/A J113 Trans JFET N-CH 2mA 3-Pin TO-92

ON Semiconductor J113 N/A N/A J113 Trans JFET N-CH 2mA 3-Pin TO-92

sztukaCena złOszczędność
11,47-
301,386% = 2,70 zł
50+1,2813% = 9,50 zł
11,47-
301,386% = 2,70 zł
501,2813% = 9,50 zł
1001,2515% = 22,00 zł
2001,2118% = 52,00 zł
4001,1621% = 124,00 zł
10001,0926% = 380,00 zł
brutto
Dostępne wkrótce
Min: 10
-
TO-92
-
-
-
-
-
-
-
Kanał-N
RoHS
Tranzystor MOSFET International Rectifier IRLML 6402 TR, kanał P, Micro 3, I(D) -3.7 A
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET International Rectifier IRLML 6402 TR, kanał P, Micro 3, I(D) -3.7 A

sztukaCena złOszczędność
11,89-
601,776% = 7,20 zł
100+1,6513% = 24,00 zł
11,89-
601,776% = 7,20 zł
1001,6513% = 24,00 zł
2001,6015% = 58,00 zł
4001,5518% = 136,00 zł
8001,4921% = 320,00 zł
20001,4026% = 980,00 zł
brutto
1287 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 20
-
SOT-23
1.2 V
633 pF
3.7 A
65 mΩ
1.3 W
montaż na powierzchni
20 V
Kanał-P
-
Diotec MMFTN3402   N/A N/A MMFTN3402
Zdjęcie poglądowe

Diotec MMFTN3402 N/A N/A MMFTN3402

sztukaCena złOszczędność
10,28-
3000,267% = 6,00 zł
500+0,2414% = 20,00 zł
10,28-
3000,267% = 6,00 zł
5000,2414% = 20,00 zł
10000,2318% = 50,00 zł
20000,2221% = 120,00 zł
brutto
2255 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 100
-
SOT-23
-
-
-
-
1 W
montaż na powierzchni
30 V
-
RoHS
Tranzystor FET Vishay IRFP460APBF Kanał N Rodzaj obudowy TO-247 N/A N/A IRFP460APBF
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor FET Vishay IRFP460APBF Kanał N Rodzaj obudowy TO-247 N/A N/A IRFP460APBF

18,79 zł
brutto
81 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-247
4 V
3100 pF
12 A
270 mΩ
280 W
do montażu w otworach
500 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET International Rectifier IRFZ 24 N, N-Kanał, TO 220, 17 A, 55 V
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET International Rectifier IRFZ 24 N, N-Kanał, TO 220, 17 A, 55 V

2,80 zł
brutto
233 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
-
TO-220
4 V
370 pF
10 A
70 mΩ
45 W
do montażu w otworach
55 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 3205, kanał N, TO 220 AB, I(D) 110 A
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 3205, kanał N, TO 220 AB, I(D) 110 A

6,05 zł
brutto
196 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4 V
3247 pF
62 A
8 mΩ
200 W
montaż na powierzchni
55 V
Kanał-N
-
MOSFET Diotec 2N7000   N/A N/A 2N7000
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Diotec 2N7000 N/A N/A 2N7000

sztukaCena złOszczędność
10,36-
3000,346% = 6,00 zł
500+0,3114% = 25,00 zł
10,36-
3000,346% = 6,00 zł
5000,3114% = 25,00 zł
10000,3017% = 60,00 zł
20000,2822% = 160,00 zł
40000,2725% = 360,00 zł
100000,2628% = 1000,00 zł
brutto
1443 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 100
-
TO-92
-
-
-
-
0.35 W
przewlekany
60 V
-
RoHS
Tranzystor MOSFET ON Semiconductor 2 N 7000, kanał N, TO 92, I(D) 0.2 A, U(DS) 60 V
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET ON Semiconductor 2 N 7000, kanał N, TO 92, I(D) 0.2 A, U(DS) 60 V

sztukaCena złOszczędność
10,99-
21+0,936% = 1,26 zł
10,99-
210,936% = 1,26 zł
brutto
7417 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 7
-
TO-92
3 V
50 pF
500 mA
5 Ω
400 mW
do montażu w otworach
60 V
Kanał-N
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRLB4030PBF, TO- 220AB, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRLB4030PBF, TO- 220AB, kanał N

sztukaCena złOszczędność
116,99-
1015,727% = 12,70 zł
25+15,2110% = 44,50 zł
116,99-
1015,727% = 12,70 zł
2515,2110% = 44,50 zł
5014,8712% = 106,00 zł
10014,4915% = 250,00 zł
25014,0717% = 730,00 zł
50013,5021% = 1745,00 zł
brutto
290 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
2.5 V
11360 pF
110 A
4.3 mΩ
370 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET IRLZ44N Hexfet TO-220, I(D) 41 A U(DS) 55V, International Rectifier
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET IRLZ44N Hexfet TO-220, I(D) 41 A U(DS) 55V, International Rectifier

sztukaCena złOszczędność
17,44-
96,927% = 4,68 zł
15+6,6810% = 11,40 zł
17,44-
96,927% = 4,68 zł
156,6810% = 11,40 zł
306,5212% = 27,60 zł
606,3415% = 66,00 zł
1206,1417% = 156,00 zł
3005,9121% = 459,00 zł
brutto
3923 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
-
TO-220
2 V
1700 pF
25 A
22 mΩ
110 W
do montażu w otworach
55 V
HEXFET
-
Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 9540 N, TO 220, I(D) -23 A, U(DS) -100 V
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 9540 N, TO 220, I(D) -23 A, U(DS) -100 V

sztukaCena złOszczędność
18,27-
67,697% = 3,48 zł
10+7,4210% = 8,50 zł
18,27-
67,697% = 3,48 zł
107,4210% = 8,50 zł
207,2412% = 20,60 zł
407,0415% = 49,20 zł
806,8218% = 116,00 zł
2006,5721% = 340,00 zł
brutto
54 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 2
-
TO-220
4 V
1300 pF
11 A
117 mΩ
140 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-P
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRF2804PBF, TO- 220AB, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRF2804PBF, TO- 220AB, kanał N

sztukaCena złOszczędność
17,63-
107,097% = 5,40 zł
25+6,8510% = 19,50 zł
17,63-
107,097% = 5,40 zł
256,8510% = 19,50 zł
506,6812% = 47,50 zł
brutto
64 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4 V
6450 pF
75 A
2.3 mΩ
300 W
do montażu w otworach
40 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRFP 460, kanał N, TO 247
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRFP 460, kanał N, TO 247

sztukaCena złOszczędność
112,09-
10+11,197% = 9,00 zł
112,09-
1011,197% = 9,00 zł
brutto
230 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-247
4 V
4200 pF
12 A
270 mΩ
280 W
do montażu w otworach
500 V
Kanał-N
-
MOSFET Vishay SI4532CDY-T1-GE3   N/A N/A

MOSFET Vishay SI4532CDY-T1-GE3 N/A N/A

3,535 zł
brutto
Dostępne wkrótce
Min: 50Wielokrotności: 50
taśma na dużej rolce
SOIC-8
-
-
-
0.14 Ω
1.78 W
montaż na powierzchni
-
Kanał-N, Kanał-P
-
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP 250N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP 250N

sztukaCena złOszczędność
116,59-
1015,357% = 12,40 zł
25+14,8510% = 43,50 zł
116,59-
1015,357% = 12,40 zł
2514,8510% = 43,50 zł
5014,5212% = 103,50 zł
10014,1515% = 244,00 zł
25013,7317% = 715,00 zł
50013,1920% = 1700,00 zł
brutto
152 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-247
4 V
2159 pF
18 A
75 mΩ
214 W
do montażu w otworach
200 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 5210, kanał P, TO 220, I(D) -40 A
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 5210, kanał P, TO 220, I(D) -40 A

sztukaCena złOszczędność
110,39-
109,667% = 7,30 zł
25+9,3210% = 26,75 zł
110,39-
109,667% = 7,30 zł
259,3210% = 26,75 zł
509,1012% = 64,50 zł
1008,8515% = 154,00 zł
5008,5718% = 910,00 zł
10008,2621% = 2130,00 zł
brutto
176 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220
4 V
2700 pF
24 A
60 mΩ
200 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-P
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRF1324PBF, TO- 220AB, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRF1324PBF, TO- 220AB, kanał N

-14%
9,55 zł
8,22 zł
brutto
193 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4 V
7590 pF
195 A
1.5 mΩ
300 W
do montażu w otworach
24 V
Kanał-N
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB4610PBF, TO- 220AB, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB4610PBF, TO- 220AB, kanał N

-62%
10,59 zł
4,07 zł
brutto
171 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4 V
3550 pF
44 A
14 mΩ
190 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-N
-
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP450A
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP450A

-63%
18,99 zł
7,06 zł
brutto
48 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-247
4 V
2038 pF
8.4 A
400 mΩ
190 W
do montażu w otworach
500 V
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies IRFP260NPBF   N/A N/A IRFP260NPBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies IRFP260NPBF N/A N/A IRFP260NPBF

sztukaCena złOszczędność
122,19-
520,747% = 7,25 zł
10+20,169% = 20,30 zł
122,19-
520,747% = 7,25 zł
1020,169% = 20,30 zł
2519,7711% = 60,50 zł
5019,3413% = 142,50 zł
10018,8515% = 334,00 zł
brutto
142 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-247-3
4 V
4057 pF
28 A
40 mΩ
300 W
do montażu w otworach
200 V
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies IRFP2907PBF   N/A N/A IRFP2907PBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies IRFP2907PBF N/A N/A IRFP2907PBF

sztukaCena złOszczędność
120,59-
519,257% = 6,70 zł
10+18,719% = 18,80 zł
120,59-
519,257% = 6,70 zł
1018,719% = 18,80 zł
2518,3511% = 56,00 zł
5017,9413% = 132,50 zł
10017,5015% = 309,00 zł
brutto
27 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-247-3
4 V
13000 pF
125 A
4.5 mΩ
470 W
do montażu w otworach
75 V
Kanał-N
-
Tranzystory MOSFET mocy STM STP_TO220 STMicroelectronics STP26NM60N   N/A N/A
Zdjęcie poglądowe

Tranzystory MOSFET mocy STM STP_TO220 STMicroelectronics STP26NM60N N/A N/A

sztukaCena złOszczędność
135,59-
533,436% = 10,80 zł
10+32,928% = 26,70 zł
135,59-
533,436% = 10,80 zł
1032,928% = 26,70 zł
2532,349% = 81,25 zł
5031,6911% = 195,00 zł
10030,6114% = 498,00 zł
brutto
22 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220
-
-
-
0.165 Ω
140 W
do montażu w otworach
-
Kanał-N
-
Vishay IRF9520PBF MOSFET
Zdjęcie poglądowe

Vishay IRF9520PBF MOSFET

sztukaCena złOszczędność
13,71-
93,457% = 2,34 zł
15+3,3310% = 5,70 zł
13,71-
93,457% = 2,34 zł
153,3310% = 5,70 zł
303,2512% = 13,80 zł
603,1615% = 33,00 zł
1203,0618% = 78,00 zł
3002,9520% = 228,00 zł
brutto
144 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
-
TO-220AB
4 V
390 pF
4.1 A
600 mΩ
60 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-P
-
Tranzystor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFB 11 N 50 A, kanał N, TO 220, I(D) 11 A, U(DS) 500
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFB 11 N 50 A, kanał N, TO 220, I(D) 11 A, U(DS) 500

sztukaCena złOszczędność
111,49-
1010,687% = 8,10 zł
25+10,3110% = 29,50 zł
111,49-
1010,687% = 8,10 zł
2510,3110% = 29,50 zł
5010,0612% = 71,50 zł
1009,7915% = 170,00 zł
5009,4817% = 1005,00 zł
10009,1321% = 2360,00 zł
brutto
42 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220
4 V
1423 pF
6.6 A
520 mΩ
170 W
do montażu w otworach
500 V
Kanał-N
-
Tranzystor unipolarny BS 170, kanał N, TO 92, I(D) 0.5 A, U(DS) 60 V
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny BS 170, kanał N, TO 92, I(D) 0.5 A, U(DS) 60 V

sztukaCena złOszczędność
11,33-
451,256% = 3,60 zł
75+1,1613% = 12,75 zł
11,33-
451,256% = 3,60 zł
751,1613% = 12,75 zł
1501,1315% = 30,00 zł
3001,0918% = 72,00 zł
6001,0521% = 168,00 zł
15000,9926% = 510,00 zł
brutto
2480 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 15
-
TO-92
3 V
60 pF
200 mA
5 Ω
350 mW
do montażu w otworach
60 V
Kanał-N
-
MOSFET ON Semiconductor BS170_D75Z   N/A N/A BS170_D75Z
Zdjęcie poglądowe

MOSFET ON Semiconductor BS170_D75Z N/A N/A BS170_D75Z

sztukaCena złOszczędność
11,24-
301,166% = 2,40 zł
50+1,0813% = 8,00 zł
11,24-
301,166% = 2,40 zł
501,0813% = 8,00 zł
1001,0515% = 19,00 zł
2001,0218% = 44,00 zł
4000,9821% = 104,00 zł
10000,9226% = 320,00 zł
brutto
7308 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 10
-
TO-92-3
3 V
40 pF
200 mA
5 Ω
830 mW
do montażu w otworach
60 V
Kanał-N
-
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP22N50A
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP22N50A

37,99 zł
brutto
435 Sztuk w magazynie
Dostawa w śr. 14.10
Min: 5Wielokrotności: 5
-
TO-247AC
4 V
3450 pF
13 A
230 mΩ
277 W
do montażu w otworach
500 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 520 N, kanał N, TO 220
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 520 N, kanał N, TO 220

sztukaCena złOszczędność
12,88-
92,706% = 1,62 zł
15+2,5113% = 5,55 zł
12,88-
92,706% = 1,62 zł
152,5113% = 5,55 zł
302,4415% = 13,20 zł
602,3618% = 31,20 zł
brutto
2601 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
-
TO-220
4 V
330 pF
5.7 A
200 mΩ
48 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies IRFU120NPBF   N/A N/A IRFU120NPBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies IRFU120NPBF N/A N/A IRFU120NPBF

sztukaCena złOszczędność
13,0603-
102,844557% = 2,16 zł
25+2,7460110% = 7,86 zł
13,0603-
102,844557% = 2,16 zł
252,7460110% = 7,86 zł
502,6805212% = 18,99 zł
1002,6064615% = 45,38 zł
brutto
7 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
-
-
-
-
0.21 Ω
48 W
do montażu w otworach
-
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies IRFB4137PBF   N/A N/A IRFB4137PBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies IRFB4137PBF N/A N/A IRFB4137PBF

18,49 zł
brutto
50 Sztuk w magazynie
Dostawa w śr. 14.10
Min: 10Wielokrotności: 10
-
TO-220-3
5 V
5168 pF
24 A
69 mΩ
341 W
do montażu w otworach
300 V
Kanał-N
-
MOSFET STMicroelectronics STW12NK90Z   N/A N/A
Zdjęcie poglądowe

MOSFET STMicroelectronics STW12NK90Z N/A N/A

sztukaCena złOszczędność
130,89-
1529,016% = 28,20 zł
25+28,578% = 58,00 zł
130,89-
1529,016% = 28,20 zł
2528,578% = 58,00 zł
5028,079% = 141,00 zł
10027,5011% = 339,00 zł
20026,5714% = 864,00 zł
brutto
895 Sztuk w magazynie
Dostawa w śr. 14.10
Min: 5Wielokrotności: 5
-
TO-247
-
-
-
0.88 Ω
230 W
do montażu w otworach
-
Kanał-N
-
Vishay SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET
Zdjęcie poglądowe

Vishay SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET

-85%
3,40 zł
0,50 zł
brutto
2817 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
SOT-23-3
3 V
155 pF
1.9 A
190 mΩ
2.3 W
montaż na powierzchni
30 V
Kanał-P
-
Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 24 N, kanał P, TO 220, I(D) -12 A
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 24 N, kanał P, TO 220, I(D) -12 A

2,64 zł
brutto
521 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
-
TO-220AB
4 V
350 pF
7.2 A
175 mΩ
45 W
do montażu w otworach
55 V
Kanał-P
-
MOSFET ON Semiconductor FQP27P06   N/A N/A FQP27P06
Zdjęcie poglądowe

MOSFET ON Semiconductor FQP27P06 N/A N/A FQP27P06

sztukaCena złOszczędność
111,29-
1010,497% = 8,00 zł
25+10,1310% = 29,00 zł
111,29-
1010,497% = 8,00 zł
2510,1310% = 29,00 zł
509,8912% = 70,00 zł
1009,6215% = 167,00 zł
brutto
145 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220-3
4 V
1400 pF
13.5 A
70 mΩ
120 W
do montażu w otworach
60 V
Kanał-P
-
MOSFETy mocy INFI SMD z taśmą IRFR Infineon Technologies IRLR3705ZTRPBF   N/A N/A IRLR3705ZPBF-GURT

MOSFETy mocy INFI SMD z taśmą IRFR Infineon Technologies IRLR3705ZTRPBF N/A N/A IRLR3705ZPBF-GURT

sztukaCena złOszczędność
19,03-
308,397% = 19,20 zł
50+8,1010% = 46,50 zł
19,03-
308,397% = 19,20 zł
508,1010% = 46,50 zł
1007,9112% = 112,00 zł
2007,6915% = 268,00 zł
4007,4517% = 632,00 zł
10007,1820% = 1850,00 zł
brutto
30 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 10
-
TO-252AA
-
-
-
0.012 Ω
130 W
do montażu w otworach
-
Kanał-N
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRFU4615PBF, I- PAK, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRFU4615PBF, I- PAK, kanał N

-38%
6,66 zł
4,13 zł
brutto
40 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
I-PAK
5 V
1750 pF
21 A
42 mΩ
144 W
do montażu w otworach
150 V
Kanał-N
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB4019PBF, TO- 220AB, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB4019PBF, TO- 220AB, kanał N

sztukaCena złOszczędność
17,35-
106,837% = 5,20 zł
25+6,6010% = 18,75 zł
17,35-
106,837% = 5,20 zł
256,6010% = 18,75 zł
506,4412% = 45,50 zł
1006,2615% = 109,00 zł
5006,0618% = 645,00 zł
10005,8421% = 1510,00 zł
brutto
48 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4.9 V
800 pF
10 A
95 mΩ
80 W
do montażu w otworach
150 V
Kanał-N
-
Infineon Technologies BSS806NH6327XTSA1   N/A N/A SOT23 unipolar 0,5W 2,3A Transistor: N-MOSFET 20V
Zdjęcie poglądowe

Infineon Technologies BSS806NH6327XTSA1 N/A N/A SOT23 unipolar 0,5W 2,3A Transistor: N-MOSFET 20V

-58%
0,65 zł
0,27034 zł
brutto
2720 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
taśma na dużej rolce
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Single N-Channel 20 V 0.057 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 Vishay SI2302CDS-T1-GE3   N/A N/A
Zdjęcie poglądowe

Single N-Channel 20 V 0.057 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 Vishay SI2302CDS-T1-GE3 N/A N/A

-59%
1,43 zł
0,58997 zł
brutto
2880 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
taśma na dużej rolce
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 4905, kanał P, TO 220, I(D) -74 A
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 4905, kanał P, TO 220, I(D) -74 A

sztukaCena złOszczędność
110,79-
1010,037% = 7,60 zł
25+9,6810% = 27,75 zł
110,79-
1010,037% = 7,60 zł
259,6810% = 27,75 zł
509,4512% = 67,00 zł
1009,1915% = 160,00 zł
5008,9018% = 945,00 zł
10008,5820% = 2210,00 zł
brutto
255 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220
4 V
3400 pF
38 A
20 mΩ
200 W
do montażu w otworach
55 V
Kanał-P
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB4410ZPBF, TO- 220AB, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB4410ZPBF, TO- 220AB, kanał N

sztukaCena złOszczędność
19,11-
108,477% = 6,40 zł
25+8,1710% = 23,50 zł
19,11-
108,477% = 6,40 zł
258,1710% = 23,50 zł
507,9812% = 56,50 zł
1007,7615% = 135,00 zł
5007,5118% = 800,00 zł
10007,2421% = 1870,00 zł
brutto
106 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4 V
4820 pF
58 A
9 mΩ
230 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 530 N, kanał N, TO 220
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 530 N, kanał N, TO 220

sztukaCena złOszczędność
13,75-
93,497% = 2,34 zł
15+3,3610% = 5,85 zł
13,75-
93,497% = 2,34 zł
153,3610% = 5,85 zł
303,2813% = 14,10 zł
603,1915% = 33,60 zł
1203,0918% = 79,20 zł
3002,9821% = 231,00 zł
brutto
781 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
-
TO-263-3
4 V
920 pF
9 A
90 mΩ
3.8 W
montaż na powierzchni
100 V
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies SPA11N80C3XKSA1   N/A N/A SPA11N80C3

MOSFET Infineon Technologies SPA11N80C3XKSA1 N/A N/A SPA11N80C3

13,19 zł
brutto
267 Sztuk w magazynie
Dostawa w śr. 14.10
-
TO-220-FULLPAK
-
-
-
0.45 Ω
34 W
do montażu w otworach
-
Kanał-N
-
MOSFETy mocy INFINEON IPA_, IPP_ TO Infineon Technologies IPA60R190C6XKSA1   N/A N/A IPA60R190C6

MOSFETy mocy INFINEON IPA_, IPP_ TO Infineon Technologies IPA60R190C6XKSA1 N/A N/A IPA60R190C6

14,69 zł
brutto
97 Sztuk w magazynie
Dostawa w śr. 14.10
-
TO-220-FULLPAK
-
-
-
0.19 Ω
34 W
do montażu w otworach
-
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET IRL3705N Hexfet TO-220, I(D) 89 A U(DS) 55 V, International Rectifier
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET IRL3705N Hexfet TO-220, I(D) 89 A U(DS) 55 V, International Rectifier

sztukaCena złOszczędność
19,17-
108,527% = 6,50 zł
25+8,2310% = 23,50 zł
19,17-
108,527% = 6,50 zł
258,2310% = 23,50 zł
508,0312% = 57,00 zł
1007,8115% = 136,00 zł
5007,5618% = 805,00 zł
10007,2921% = 1880,00 zł
brutto
202 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220
2 V
3600 pF
46 A
10 mΩ
170 W
do montażu w otworach
55 V
Kanał-N
-
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRLML6344TRPBF, SOT-23, kanał N
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRLML6344TRPBF, SOT-23, kanał N

sztukaCena złOszczędność
11,65-
301,556% = 3,00 zł
50+1,4413% = 10,50 zł
11,65-
301,556% = 3,00 zł
501,4413% = 10,50 zł
1001,4015% = 25,00 zł
2001,3518% = 60,00 zł
4001,3021% = 140,00 zł
10001,2226% = 430,00 zł
brutto
441 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 10
-
SOT-23
1.1 V
650 pF
5 A
29 mΩ
1.3 W
montaż na powierzchni
30 V
Kanał-N
-
Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 9620, kanał P, TO 220, I(D) -3.5 A
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 9620, kanał P, TO 220, I(D) -3.5 A

sztukaCena złOszczędność
15,72-
95,327% = 3,60 zł
15+5,1310% = 8,85 zł
15,72-
95,327% = 3,60 zł
155,1310% = 8,85 zł
305,0112% = 21,30 zł
604,8715% = 51,00 zł
1204,7217% = 120,00 zł
3004,5520% = 351,00 zł
brutto
15 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
-
TO-220
4 V
350 pF
1.5 A
1.5 Ω
40 W
do montażu w otworach
200 V
Kanał-P
-
MOSFET ON Semiconductor NDT2955   N/A N/A NDT2955
Zdjęcie poglądowe

MOSFET ON Semiconductor NDT2955 N/A N/A NDT2955

-77%
6,84 zł
1,56 zł
brutto
3681 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
SOT-223-4
4 V
601 pF
2.5 A
300 mΩ
1.1 W
montaż na powierzchni
60 V
Kanał-P
-
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF3205Z
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF3205Z

sztukaCena złOszczędność
15,84-
105,437% = 4,10 zł
25+5,2410% = 15,00 zł
15,84-
105,437% = 4,10 zł
255,2410% = 15,00 zł
505,1212% = 36,00 zł
brutto
193 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-220AB
4 V
3450 pF
66 A
6.5 mΩ
170 W
do montażu w otworach
55 V
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies IPW60R190P6FKSA1   N/A N/A IPW60R190P6
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies IPW60R190P6FKSA1 N/A N/A IPW60R190P6

12,29 zł
brutto
239 Sztuk w magazynie
Dostawa w śr. 14.10
-
TO-247
-
-
-
0.19 Ω
151 W
do montażu w otworach
-
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies IRFB4127PBF   N/A N/A IRFB4127PBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies IRFB4127PBF N/A N/A IRFB4127PBF

10,89 zł
brutto
1010 Sztuk w magazynie
Dostawa w śr. 14.10
Min: 10Wielokrotności: 10
-
TO-220AB
5 V
5380 pF
44 A
20 mΩ
375 W
do montażu w otworach
200 V
Kanał-N
-
Tranzystor 2N Infineon Infineon Technologies BSS84P Kanał P Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A BSS84P
Zdjęcie poglądowe

Tranzystor 2N Infineon Infineon Technologies BSS84P Kanał P Rodzaj obudowy SOT-23 N/A N/A BSS84P

sztukaCena złOszczędność
10,50-
900,476% = 2,70 zł
150+0,4412% = 9,00 zł
10,50-
900,476% = 2,70 zł
1500,4412% = 9,00 zł
3000,4216% = 24,00 zł
6000,4118% = 54,00 zł
12000,3922% = 132,00 zł
30000,3726% = 390,00 zł
brutto
4736 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 30
-
TO-236-3
2 V
19 pF
170 mA
8 Ω
360 mW
montaż na powierzchni
60 V
Kanał-P
-
MOSFETy mocy SMD firmy Vishay IRFR IRLR Vishay IRFR9024PBF   N/A N/A

MOSFETy mocy SMD firmy Vishay IRFR IRLR Vishay IRFR9024PBF N/A N/A

sztukaCena złOszczędność
16,3933-
95,942577% = 4,06 zł
15+5,7367110% = 9,85 zł
16,3933-
95,942577% = 4,06 zł
155,7367110% = 9,85 zł
305,5998912% = 23,80 zł
605,4451715% = 56,89 zł
1205,2738318% = 134,34 zł
3005,0813921% = 393,57 zł
brutto
18 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
tuba
TO-252AA
-
-
-
0.28 Ω
42 W
montaż na powierzchni
-60 V
Kanał-P
-
MOSFETy mocy INFI SMD z taśmą IRFR Infineon Technologies IRLR120NTRPBF   N/A N/A IRLR120NPBF-GURT

MOSFETy mocy INFI SMD z taśmą IRFR Infineon Technologies IRLR120NTRPBF N/A N/A IRLR120NPBF-GURT

sztukaCena złOszczędność
12,8583-
92,683666% = 1,57 zł
15+2,4938713% = 5,47 zł
12,8583-
92,683666% = 1,57 zł
152,4938713% = 5,47 zł
302,4244115% = 13,02 zł
brutto
27 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
-
TO-252AA
-
-
-
0.265 Ω
48 W
do montażu w otworach
-
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies BSS139H6327XTSA1   N/A N/A BSS139

MOSFET Infineon Technologies BSS139H6327XTSA1 N/A N/A BSS139

sztukaCena złOszczędność
12,22542-
152,089456% = 2,04 zł
25+1,9416813% = 7,09 zł
12,22542-
152,089456% = 2,04 zł
251,9416813% = 7,09 zł
501,887615% = 16,89 zł
1001,8268518% = 39,86 zł
2001,7591921% = 93,25 zł
5001,6508226% = 287,30 zł
brutto
65 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 5
#####Tape and Reel
SOT-23
20 V
60 pF
0.1 A
30 Ω
0.36 W
montaż na powierzchni
250 V
Kanał-N
RoHS
INFINEON SMD MOSFET mocy BSP_ SOT2 Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1   N/A N/A BSP149

INFINEON SMD MOSFET mocy BSP_ SOT2 Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1 N/A N/A BSP149

5,73 zł
brutto
25 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 5
-
SOT-223
-
-
-
3.5 Ω
1.8 W
montaż na powierzchni
-
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies IRFR3410TRPBF   N/A N/A IRFR3410PBF-GURT

MOSFET Infineon Technologies IRFR3410TRPBF N/A N/A IRFR3410PBF-GURT

-34%
3,28 zł
2,18 zł
brutto
40 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
-
TO-252AA
-
-
-
0.039 Ω
110 W
do montażu w otworach
-
Kanał-N
-
MOSFET mocy INFI IRFP_, IRLP_ TO24 Infineon Technologies IRFP054NPBF   N/A N/A IRFP054NPBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET mocy INFI IRFP_, IRLP_ TO24 Infineon Technologies IRFP054NPBF N/A N/A IRFP054NPBF

11,39 zł
brutto
69 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 5
-
TO-247AC
-
-
-
0.012 Ω
170 W
do montażu w otworach
-
Kanał-N
-
MOSFETy mocy INFI SMD z taśmą IRFR Infineon Technologies IRFR220NTRPBF   N/A N/A IRFR220NPBF-GURT

MOSFETy mocy INFI SMD z taśmą IRFR Infineon Technologies IRFR220NTRPBF N/A N/A IRFR220NPBF-GURT

2,3028 zł
brutto
45 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
-
TO-252AA
-
-
-
0.6 Ω
43 W
do montażu w otworach
-
Kanał-N
-
MOSFET mocy INFI IRF_, IRL_ TO220A Infineon Technologies IRF530NPBF   N/A N/A IRF530NPBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET mocy INFI IRF_, IRL_ TO220A Infineon Technologies IRF530NPBF N/A N/A IRF530NPBF

sztukaCena złOszczędność
13,7471-
93,482937% = 2,38 zł
15+3,3622710% = 5,77 zł
13,7471-
93,482937% = 2,38 zł
153,3622710% = 5,77 zł
303,2820812% = 13,95 zł
603,1914115% = 33,34 zł
1203,0909818% = 78,73 zł
3002,978221% = 230,67 zł
brutto
68 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
tuba
TO-220AB
20 V
920 pF
17 A
0.09 Ω
70 W
do montażu w otworach
100 V
Kanał-N
RoHS
MOSFET Infineon Technologies IRF1018ESTRLPBF   N/A N/A IRF1018ESPBF-GURT

MOSFET Infineon Technologies IRF1018ESTRLPBF N/A N/A IRF1018ESPBF-GURT

sztukaCena złOszczędność
17,09-
306,597% = 15,00 zł
50+6,3610% = 36,50 zł
17,09-
306,597% = 15,00 zł
506,3610% = 36,50 zł
1006,2112% = 88,00 zł
2006,0415% = 210,00 zł
4005,8517% = 496,00 zł
10005,6420% = 1450,00 zł
brutto
10 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 10
-
D2PAK
-
-
-
0.0084 Ω
110 W
montaż na powierzchni
-
Kanał-N
-
MOSFET mocy INFI SMD z taśmą IRF_ Infineon Technologies IRF7313TRPBF   N/A N/A IRF7313PBF-GURT

MOSFET mocy INFI SMD z taśmą IRF_ Infineon Technologies IRF7313TRPBF N/A N/A IRF7313PBF-GURT

sztukaCena złOszczędność
12,7876-
9+2,617286% = 1,53 zł
12,7876-
92,617286% = 1,53 zł
brutto
39 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
-
SO-8
-
-
-
0.046 Ω
2.0 W
montaż na powierzchni
-
Kanał-N
-
MOSFET mocy STM STW_TO247 STMicroelectronics STW20NK50Z   N/A N/A STW20NK50Z
Zdjęcie poglądowe

MOSFET mocy STM STW_TO247 STMicroelectronics STW20NK50Z N/A N/A STW20NK50Z

sztukaCena złOszczędność
117,09-
1515,817% = 19,20 zł
25+15,3010% = 44,75 zł
117,09-
1515,817% = 19,20 zł
2515,3010% = 44,75 zł
5014,9612% = 106,50 zł
10014,5815% = 251,00 zł
20014,1517% = 588,00 zł
50013,5821% = 1755,00 zł
brutto
62 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 5Wielokrotności: 5
-
TO-247
-
-
-
0.27 Ω
190 W
do montażu w otworach
-
Kanał-N
-
ONS MOSFET małej mocy BS_ TO92 lub ON Semiconductor BS170-D26Z   N/A N/A unipolar Transistor: N-MOSFET 60V 0,83W 0,5A Idm: 1,2A TO92

ONS MOSFET małej mocy BS_ TO92 lub ON Semiconductor BS170-D26Z N/A N/A unipolar Transistor: N-MOSFET 60V 0,83W 0,5A Idm:

-16%
sztukaCena złOszczędność
11,5049-
301,412956% = 2,76 zł
50+1,3130313% = 9,59 zł
11,5049-
301,412956% = 2,76 zł
501,3130313% = 9,59 zł
1001,2764615% = 22,84 zł
2001,2353718% = 53,91 zł
4001,1896221% = 126,11 zł
10001,1163326% = 388,57 zł
brutto
25 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 10
taśma na dużej rolce
TO-92
-
-
-
-
-
-
60 V
Kanał-N
-
MOSFET ON Semiconductor BSS138LT1G   N/A N/A Transistor: N-MOSFET unipolar SOT23 0,225W 0,2A 50V

MOSFET ON Semiconductor BSS138LT1G N/A N/A Transistor: N-MOSFET unipolar SOT23 0,225W 0,2A 50V

sztukaCena złOszczędność
10,40493-
3000,380196% = 7,42 zł
500+0,353313% = 25,82 zł
10,40493-
3000,380196% = 7,42 zł
5000,353313% = 25,82 zł
10000,3434615% = 61,47 zł
brutto
Dostępne wkrótce
Min: 100Wielokrotności: 100
taśma na dużej rolce
SOT-23
-
-
-
-
-
-
50 V
Kanał-N
-
MOSFET Infineon Technologies IRF630NPBF   N/A N/A IRF630NPBF
Zdjęcie poglądowe

MOSFET Infineon Technologies IRF630NPBF N/A N/A IRF630NPBF

sztukaCena złOszczędność
17,02-
96,537% = 4,41 zł
15+6,3010% = 10,80 zł
17,02-
96,537% = 4,41 zł
156,3010% = 10,80 zł
306,1512% = 26,10 zł
605,9815% = 62,40 zł
1205,7918% = 147,60 zł
3005,5821% = 432,00 zł
brutto
4 Sztuk w magazynie
Dostawa w czw. 08.10
Min: 3
-
TO-220AB
4 V
575 pF
5.4 A
300 mΩ
82 W
do montażu w otworach
200 V
Kanał-N
-
 
  • poprzedni
  • 1
  • 2
  • ...
  • 11
  • następny

Interesujące fakty na temat MOSFETÓW

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor – w skrócie MOSFET – są zdecydowanie najczęściej stosowanymi tranzystorami w układach elektronicznych. Ich znacząca miniaturyzacja umożliwia ich masowe stosowanie w różnorodnych układach, w szczególności w pamięciach i mikroprocesorach. Na przykład nowoczesna pamięć DDR4 o pojemności 128 gigabajtów składa się z ponad 137 miliardów takich tranzystorów.

Dowiedz się, jak zbudowane są tranzystory MOSFET, jak działają i do jakich zastosowań się nadają.

  • Czym są tranzystory MOSFET?

  • Jak działają tranzystory MOSFET?

  • Przykłady zastosowań

  • FAQ – często zadawane pytania

MOSFETs in Speicherchips und Mikroprozessoren


Czym są tranzystory MOSFET?

MOSFET

Ich zdolność do zmiany przewodnictwa wraz z poziomem przyłożonego napięcia może być wykorzystywana do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych.

Ostatecznie, unipolarny tranzystor MOSFET jest rezystorem, którym można sterować za pomocą napięcia. W porównaniu do tranzystora bipolarnego, nie wymaga on prawie żadnego prądu wejściowego do sterowania prądem obciążenia, co jest jedną z największych zalet tego komponentu..

Termin "Metal-Oxide-Semiconductor " (MOS) zazwyczaj odnosi się do metalowej płytki, izolacji tlenkowej i półprzewodnika, zwykle krzemu..

Jednak metal w MOSFET jest obecnie mylony, ponieważ materiałem bramki może być również warstwa polikrzemu (krzem polikrystaliczny).

Oprócz tlenku można również stosować różne materiały dielektryczne, aby uzyskać wydajne kanały przy niższych napięciach. Kondensator MOS jest również częścią tej struktury.

MOSFET

Tranzystory MOSFET są albo częścią zintegrowanych układów MOS, albo elementami dyskretnymi. Możliwe jest też stosowanie wersji z jedną lub wieloma bramkami.

Jako że wszystkie one odpowiadają półprzewodnikom typu p lub n, komplementarne pary mogą być produkowane dla obwodów o bardzo niskim zużyciu energii.

Tranzystory MOSFET są produkowane w dwóch wariantach: jako "normalnie przewodzące" - tzw. typ deplecyjny - oraz jako normalnie blokujące - typ wzmacniający. 

Wspólne dla wszystkich typów są trzy połączenia "S" dla źródła, "D" dla ścieżki i "G" dla bramki, odpowiadające źródłu, ścieżce i połączeniu sterującemu.



Jak działają tranzystory MOSFET?

MOSFET

MOSFET opiera się na kontroli koncentracji nośników ładunku za pomocą kondensatora MOS pomiędzy elektrodami substratu a bramką. Bramka znajduje się na górnej stronie substratu i jest izolowana od wszystkich innych obszarów elementu przez warstwę dielektryczną, na przykład przez dwutlenek krzemu. Gdy do izolacji używa się innych materiałów dielektrycznych niż tlenki, mówi się o tranzystorze polowym metal-izolator-półprzewodnik, skrótowo MISFET. Używana jest również powszechnie akceptowana skrótowa nazwa IGFET dla tranzystora polowego z izolowaną bramką, która obowiązuje dla wszystkich typów.

W porównaniu do czystego kondensatora MOS, MOSFET zawiera dwa dodatkowe połączenia źródła i drenu, z których każde jest przyłączone do obszarów o wysokiej domieszce, oddzielonych obszarem podłoża. Obszary te mogą być typu p lub typu n. Źródło i dren są silnie domieszkowane i są oznaczone w zapisie znakiem "+" po typie domieszkowania.

MOSFETs

Jeśli IGFET jest kanałem typu n, obszary domieszkowania źródła i drenu są obszarami typu "n+", a podłoże jest obszarem typu "p".

W kanale typu p, obszary domieszkowania źródła i drenu są regionami typu "p+", a podłoże jest regionem typu "n". Złącze źródła jest tak nazywane, ponieważ stanowi źródło nośników ładunku, które przepływają przez kanał. Podobnie, dren jest punktem, w którym nośniki ładunku opuszczają kanał.

Po przyłożeniu ujemnego napięcia bramka-źródło, na powierzchni podłoża typu n tworzony jest kanał typu p, analogiczny do kanału typu n, ale z przeciwnymi polaryzacjami ładunków i napięć.

Jeśli napięcie jest niższe niż napięcie progowe, kanał znika i tylko niewielki prąd podprogowy może przepływać między drenem a źródłem.



Przykłady zastosowań

  • Bezpośrednią konsekwencją funkcji IGFET jest jego wykorzystanie jako przełącznika. Typ n-kanałowy może działać jako obwód przełączający, jeśli pracuje w zakresie blokowania i nasycenia. Jeśli napięcie na wyjściu jest dodatnie, element włącza się i tworzy niejako zwarcie. Napięcie wyjściowe wynosi wtedy prawie zero. Gdy napięcie na wyjściu jest wyłączone, element wyłącza się, a napięcie wyjściowe jest równe napięciu zasilania.

    IGFET nadają się również do zastosowań związanych ze sterowaniem silnikami, jeśli proces przełączania jest kontrolowany przez półmostkowy obwód sterujący z dwoma IGFET lub przez pełny mostkowy obwód sterujący z czterema IGFET. W tym przypadku ruch silników prądu stałego lub bezszczotkowych silników krokowych można kontrolować za pomocą odpowiednich mocy, np. poprzez modulację szerokości impulsu.

  • IGFET typu n-kanałowego są w stanie wyłączenia, gdy nie występuje napięcie bramka-źródło. Kiedy jednak są one polaryzowane odpowiednim dodatnim napięciem, zaczynają przewodzić, powodując przepływ prądu na wyjściu. Prąd ten wzrasta wraz ze wzrostem napięcia polaryzacji, co z kolei prowadzi do wzrostu napięcia wyjściowego. Dlatego też IGFET służą jako wzmacniacze, np. w zastosowaniach o wysokiej częstotliwości i w systemach dźwiękowych.

  • Zachowanie przełączania IGFETów można wykorzystać do budowy obwodów przerywających. Tutaj napięcie stałe jest przekształcane na napięcie przemienne o tym samym poziomie amplitudy, poprzez wstępne naładowanie IGFETu kwadratową formą fali napięciowej między jego bramką a źródłem. To prowadzi do naprzemiennych cykli w obszarze zaporowym i nasycenia.

  • Elementy typu zubożonego są stosowane w liniowych obwodach stabilizatorów napięcia jako tranzystory przewodzące. W tym przypadku napięcie źródła podąża za napięciem bramki pomniejszone o napięcie bramka-źródło (VGS). Ponadto, VGS wzrasta wraz ze wzrostem prądu drenu. Przy stałym napięciu bramki, napięcie źródła spada, gdy prąd obciążenia rośnie.

    Zubożone tranzystory IGFET nadają się do projektowania zasilaczy impulsowych, które działają w warunkach dużych wahań napięcia. Są one również wykorzystywane w projektowaniu napędów o zmiennej częstotliwości i obwodów generatora rampy napięcia. Ze względu na ich zdolność do zachowywania się jak rezystory sterowane napięciem, są one często używane jako potencjometry. Tranzystory MOSFET mogą być również stosowane w źródłach prądu stałego, a w połączeniu ze wzmacniaczami operacyjnymi nadają się do konfigurowania obwodów monitorowania prądu. Są one również używane jako miksery lub oscylatory w systemach radiowych i sprawdziły się w sterowaniu sieciami wysokoprądowymi i wysokonapięciowymi bez pobierania prądu lub mocy z obwodu sterującego. Ich wysoka impedancja wejściowa i szybkie prędkości przełączania predestynują je również jako komponenty w elektronice cyfrowej i mikroprocesorach.



FAQ – często zadawane pytania

W jakich formach obudowy i do jakich typów montażu dostępne są tranzystory IGFET?

Komponenty te są dostępne zarówno z połączeniami lutowanymi, jak i do montażu SMD bezpośrednio na płytce drukowanej. Niektóre typy mają otwory przelotowe na śruby i mocowanie radiatorów.
 

Jaki jest maksymalny zakres temperatur dla tranzystorów MOSFET?

Typowe wartości maksymalne wahają się od 125 do 225 stopni Celsjusza
 

Jaka jest różnica między tranzystorem a tranzystorem unipolarnym?

Oba należą do grupy tranzystorów i mogą być wykorzystywane jako przełączniki lub wzmacniacze. W przeciwieństwie do samych tranzystorów, te z efektem działania pola funkcjonują z napięciem sterującym lub polem elektrycznym; prąd sterujący  nie płynie. Ponadto tranzystory unipolarnemogą być również wykorzystywane do wzmacniania prądu przemiennego, co nie jest możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych.

%seoprefootercolumns%
  • Ponad 1 250 000 produktów

  • Konto handlowe

  • Wyceny RFQ i BOM

  • Wsparcie techniczne

  • Zlecenia terminowe

  • Centrum pomocy

  • Zamówienia

  • Dostawa

  • Zwrot  

  • Faktury

  • Gwarancja i reklamacje

  • Dyrektywa Omnibus w Conrad

  • O firmie

  • Conrad Sourcing Platform

  • Pracuj w Conrad

  • Aktualne promocje

  • Marki własne

  • Strefa porad

  • Certyfikaty

  • Informacje o dostępności cyfrowej

  • Odstępuję od umowy

  • Usługi dla firm

  • e-Procurement

  • Zapytanie ofertowe

  • Zlecenia terminowe

  • Produkty spoza katalogu

  • Vulnerability Disclosure Program

  • Serwisy

  • Serwis kalibracji

  • Kategorie produktowe A-Z

  • Nasze marki A-Z

  • Centrum dokumentacji

  • Usługa cięcia kabli na metry

  • Katalogi

  • System zarządzania rolami zakupowymi

Newsletter

Proszę podać prawidłowy adres e-mail!

Metody płatności
  • PayU
  • PayPal
  • Blik
Media społecznościowe

Kontakt
12 622 98 00
Pon-Pt godz. 8:00-17:00
bok@conrad.pl
 

Wszystkie ceny bez podatku VAT i kosztów dostawy. Przekreślona cena to zawsze najniższa cena oferty z 30 dni przed obniżką.

Wszystkie ceny zawierają podatek VAT, nie obejmują kosztów dostawy. Przekreślona cena to zawsze najniższa cena oferty z 30 dni przed obniżką.

Bosch Brand Weeks
* Rabat obowiązuje wyłącznie na dostępne od ręki produkty marek Bosch Professional, Bosch Home & Garden, Bosch Accessories i Dremel (status dostawy zielony). Ważne do 04.10.2026 r. na conrad.pl. Nie można łączyć z innymi kodami rabatowymi. 1x na klienta biznesowego/osobę prywatną. W indywidualnych przypadkach wielkość sprzedaży może być ograniczona.

Schneider Electric Asfora & Shelly
* Rabat obowiązuje wyłącznie na artykuły dostępne od ręki (status dostawy: zielony): 10% rabatu na wybrane produkty marki Schneider Electric oraz na cały asortyment marki Shelly. Ważne do 25.10.2026 r. na conrad.pl (z wyłączeniem produktów wysyłanych bezpośrednio przez naszych partnerów handlowych). Nie łączy się z innymi kodami rabatowymi. 1x na klienta biznesowego/osobę prywatną. W indywidualnych przypadkach może nastąpić ograniczenie ilości sprzedawanych sztuk.

  • Regulamin

  • Informacje dla konsumentów

  • Polityka prywatności

  • Polityka plików cookies

Porównanie produktów
Lista obserwowanych