Dioda ESD Taiwan Semiconductor 1N5402G N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma
Rodzaj produktu
Dioda ESD
Typ obudowy półprzewodnika
DO-201AD
Natężenie przewodzenia
3 mA
Napięcie przewodzenia
1 V
Karta katalogowa (PDF)
32 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
15
-
0,55 zł
45
5% = 0,03 zł
0,52 zł
75
13% = 0,07 zł
0,48 zł
150
15% = 0,08 zł
0,47 zł
300
16% = 0,09 zł
0,46 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 15
Suma (0,55 zł / Sztuka)
0,59 zł
-7 %
8,25 zł
0,68 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cechy produktu
Dioda ESD
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma
- Model katalogowy producenta
1N5402G
- Rodzaj produktu
Dioda ESD
- Typ obudowy półprzewodnika
DO-201AD
- Producent
Taiwan Semiconductor
- Natężenie przewodzenia
3 mA
- Napięcie przewodzenia
1 V
- Natężenie wsteczne I(r)
5.000 nA
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Temperatura pracy (maks.)
150 °C
- Sposób montażu
przewlekany
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
1N5402
- Zgodne z RoHS
Tak
- Certyfikat niezawodności AEC
AEC-Q101
- Konfiguracja (Dioda)
Pojedynczy
- U(RRM)
200 V
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 2992974 Dioda ESD Taiwan Semiconductor 1N5402G N/A N/A