Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Diody INFINEON SiC Schottky'ego do 20A IDH Infineon Technologies IDH08G65C5XKSA2 N/A N/A N/A
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
tuba
Rodzaj produktu
Dioda Schottky'ego
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AC
Natężenie przewodzenia
8 A
Napięcie przewodzenia
650 V
Karta katalogowa (PDF)
535 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
5
-
8,85 zł
15
7% = 0,62 zł
8,23 zł
25
10% = 0,91 zł
7,94 zł
50
12% = 1,09 zł
7,76 zł
100
15% = 1,31 zł
7,54 zł
200
18% = 1,55 zł
7,30 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 5
Vielfache: 5
Suma (8,85 zł / Sztuka)
11,54 zł
-23 %
44,25 zł
10,89 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cechy produktu
Diody INFINEON SiC Schottky'ego do 20A IDH
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
tuba
- Model katalogowy producenta
IDH08G65C5XKSA2
- Rodzaj produktu
Dioda Schottky'ego
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AC
- Producent
Infineon Technologies
- Natężenie przewodzenia
8 A
- Natężenie wsteczne I(r)
140000 nA
- Napięcie przewodzenia
650 V
- Pojemność diody C(D)
250 pF
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027939 Diody INFINEON SiC Schottky'ego do 20A IDH Infineon Technologies IDH08G65C5XKSA2 N/A N/A N/A