Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Diody INFINEON SiC Schottky'ego do 51A IDW Infineon Technologies IDW10G120C5BFKSA1 N/A N/A N/A
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
tuba
Rodzaj produktu
Dioda Schottky'ego
Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
Natężenie przewodzenia
10 A
Napięcie przewodzenia
1200 V
Karta katalogowa (PDF)
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
23,16 zł
5
6% = 1,40 zł
21,76 zł
10
8% = 1,74 zł
21,42 zł
25
9% = 2,11 zł
21,05 zł
50
11% = 2,53 zł
20,63 zł
100
14% = 3,24 zł
19,92 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (23,16 zł / Sztuka)
23,16 zł
28,49 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Cechy produktu
Diody INFINEON SiC Schottky'ego do 51A IDW
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
tuba
- Model katalogowy producenta
IDW10G120C5BFKSA1
- Rodzaj produktu
Dioda Schottky'ego
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
- Producent
Infineon Technologies
- Natężenie przewodzenia
10 A
- Natężenie wsteczne I(r)
40000 nA
- Napięcie przewodzenia
1200 V
- Pojemność diody C(D)
730 pF
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027946 Diody INFINEON SiC Schottky'ego do 51A IDW Infineon Technologies IDW10G120C5BFKSA1 N/A N/A N/A