Infineon Technologies BCV47E6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma na dużej rolce
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
0.5 A
49 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
10
-
1,09211 zł
30
6% = 0,07 zł
1,02538 zł
50
13% = 0,14 zł
0,95287 zł
100
15% = 0,17 zł
0,92633 zł
200
18% = 0,20 zł
0,89651 zł
400
21% = 0,23 zł
0,86332 zł
1000
26% = 0,28 zł
0,81013 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 10
Tape on Full reel
Sztuki (zawartość: )
Sztuki (zawartość: )
Suma (1,09211 zł / Sztuka)
10,92 zł
1,3433 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystory małej mocy SMD Darlington
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma na dużej rolce
- Model katalogowy producenta
BCV47E6327HTSA1
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
Infineon Technologies
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
0.5 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
30 V
- Moc (maks) P(TOT)
0.36 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
4 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
0.2 GHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027429 Infineon Technologies BCV47E6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.