Rysunek techniczny
Rysunek techniczny
Tranzystor 2N ST STMicroelectronics BD135 NPN Rodzaj obudowy SOT-32 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-32
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
1.5 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
45 V
Karta katalogowa (PDF)
1063 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
2,69 zł
30
7% = 0,19 zł
2,50 zł
50
10% = 0,28 zł
2,41 zł
100
12% = 0,33 zł
2,36 zł
200
15% = 0,40 zł
2,29 zł
400
17% = 0,47 zł
2,22 zł
1000
20% = 0,55 zł
2,14 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (2,69 zł / Sztuka)
2,69 zł
3,31 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor 2N ST
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BD135
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-32
- Producent
STMicroelectronics
- Kod producenta
STM
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
1.5 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
45 V
- Saturacja VCE (maks.)
500 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
100 nA
- Moc (maks) P(TOT)
1.25 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
40
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
150 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
2 V
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
NPN
- Typ
BD135
- Rodzaj obudowy
SOT-32
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 155401 Tranzystor 2N ST STMicroelectronics BD135 NPN Rodzaj obudowy SOT-32 N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 155401 Tranzystor 2N ST STMicroelectronics BD135 NPN Rodzaj obudowy SOT-32 N/A N/A
Opis
STMicroelectronics BD135 |