Infineon Technologies BFR193E6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Opakowanie
taśma na dużej rolce
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
0.08 A
Karta katalogowa (PDF)
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
11100 Sztuki
Liczba
Min.: 100
Vielfache: 100
Tape on Full reel
Sztuki (zawartość: )
Sztuki (zawartość: )
Suma (1,8281 zł / Sztuka)
1,83 zł
1,4863 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Cena brutto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma na dużej rolce
- Model katalogowy producenta
BFR193E6327HTSA1
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
Infineon Technologies
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
0.08 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
12 V
- Moc (maks) P(TOT)
0.58 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
70 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
8 GHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027451 Infineon Technologies BFR193E6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027451 Infineon Technologies BFR193E6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Często wyszukiwane Tranzystory:
Akcesoria
(* Podane ceny są cenami netto)Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria
Conrad Electronic
2,71 zł*
Ostatnio oglądane
(* Podane ceny są cenami netto)
0,84 zł*
0,50 zł*
Conrad Electronic
3,76 zł*