Infineon Technologies BFR93AE6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma na dużej rolce
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
0.09 A
Karta katalogowa (PDF)
90 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
10
-
1,28307 zł
30
6% = 0,08 zł
1,20467 zł
50
13% = 0,16 zł
1,11948 zł
100
15% = 0,19 zł
1,08830 zł
200
18% = 0,23 zł
1,05328 zł
400
21% = 0,27 zł
1,01427 zł
1000
26% = 0,33 zł
0,95178 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 10
Tape on Full reel
Sztuki (zawartość: )
Sztuki (zawartość: )
Suma (1,28307 zł / Sztuka)
12,83 zł
1,57818 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma na dużej rolce
- Model katalogowy producenta
BFR93AE6327HTSA1
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
Infineon Technologies
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
0.09 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
12 V
- Moc (maks) P(TOT)
0.3 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
70 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
6 GHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zawartość
1 szt.
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027440 Infineon Technologies BFR93AE6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027440 Infineon Technologies BFR93AE6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.