ON Semiconductor 2N6491G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Opakowanie
tuba
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
15 A
Karta katalogowa (PDF)
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
100 Sztuki
Liczba
Min.: 50
Vielfache: 50
Suma (5,92 zł / Sztuka)
5,92 zł
4,81 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Cena brutto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
tuba
- Model katalogowy producenta
2N6491G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
ON Semiconductor
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
15 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
80 V
- Moc (maks) P(TOT)
75 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
20 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
0.005 GHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027554 ON Semiconductor 2N6491G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027554 ON Semiconductor 2N6491G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Często wyszukiwane Tranzystory:
Akcesoria
(* Podane ceny są cenami netto)Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria
Conrad Electronic
2,71 zł*
Ostatnio oglądane
(* Podane ceny są cenami netto)
-58%
1,99 zł
0,84 zł*
-84%
3,20 zł
0,50 zł*
Conrad Electronic
2,48 zł*
