Dioda Schottky'ego Taiwan Semiconductor 1N5822 N/A N/A N/A U(RRM) 40 V
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma na dużej rolce
Rodzaj produktu
Dioda Schottky'ego
Typ obudowy półprzewodnika
DO-201AD
Natężenie przewodzenia
3 mA
Konfiguracja (Dioda)
Pojedynczy
Karta katalogowa (PDF)
275 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
10
-
1,01 zł
30
7% = 0,07 zł
0,94 zł
50
13% = 0,13 zł
0,88 zł
100
16% = 0,16 zł
0,85 zł
200
18% = 0,18 zł
0,83 zł
400
21% = 0,21 zł
0,80 zł
1000
26% = 0,26 zł
0,75 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 10
Tape on Full reel
Sztuki (zawartość: )
Sztuki (zawartość: )
Suma (1,01 zł / Sztuka)
10,10 zł
1,24 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Cechy produktu
Dioda Schottky'ego
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma na dużej rolce
- Model katalogowy producenta
1N5822
- Rodzaj produktu
Dioda Schottky'ego
- Typ obudowy półprzewodnika
DO-201AD
- Producent
Taiwan Semiconductor
- Natężenie przewodzenia
3 mA
- Natężenie wsteczne I(r)
500 nA
- Konfiguracja (Dioda)
Pojedynczy
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
1N58_
- Napięcie przewodzenia
0.525 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Temperatura pracy (maks.)
125 °C
- Sposób montażu
przewlekany
- Zgodne z RoHS
Tak
- Zawartość
1 szt.
- U(RRM)
40 V
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 2992964 Dioda Schottky'ego Taiwan Semiconductor 1N5822 N/A N/A N/A U(RRM) 40 V