Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor 2N ON ON Semiconductor BUX85G NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
2 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
450 V
Karta katalogowa (PDF)
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
4,96 zł
9
7% = 0,35 zł
4,61 zł
15
10% = 0,51 zł
4,45 zł
30
13% = 0,62 zł
4,34 zł
60
15% = 0,73 zł
4,23 zł
120
18% = 0,87 zł
4,09 zł
300
21% = 1,02 zł
3,94 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Suma (4,96 zł / Sztuka)
zł
6,10 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BUX85G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
2 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
450 V
- Saturacja VCE (maks.)
1 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
200 µA
- Moc (maks) P(TOT)
50 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
30
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
100 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
5 V
- Częstotliwość przejść f(T)
4 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
NPN
- Typ
BUX85
- Rodzaj obudowy
TO-220AB
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 150977 Tranzystor 2N ON ON Semiconductor BUX85G NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 150977 Tranzystor 2N ON ON Semiconductor BUX85G NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
Opis
ON Semiconductor | BUX85G