Link bezpośredni
  • Conrad
  • Moje konto

    Zaloguj / Rejestracja

  • Koszyk

  • Wyprzedaż - sprawdź najlepsze okazje cenowe! Wyprzedaż - sprawdź najlepsze okazje cenowe!
  • Kategorie tematyczne
    Przemysł
    Infrastruktura
    Serwisy profesjonalne
  • Oferta
    Conrad - Your Sourcing Platform
    Promocje
    Wyprzedaż
    Nowości
    Bestsellery
    Strefa Porad
  • Serwisy
    E-Procurement
    Zapytanie ofertowe
    Produkty spoza katalogu
    Przedłużona gwarancja
    Serwis kalibracji
    Role Management System
  • Nasze produkty
  • Moje konto
  • Lista obserwowanych
  • Wyloguj
Conrad
Start
Elementy aktywne Elementy półprzewodnikowe Tranzystory FET Tranzystory polowe MOSFET

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF630N

EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Dwa czarne, prostokątne elementy elektroniczne, każdy z trzema stykami po prawej stronie, ułożone obok siebie, prawdopodobnie tranzystory.
Zdjęcie poglądowe
Dwa czarne, prostokątne elementy elektroniczne, każdy z trzema stykami po prawej stronie, ułożone obok siebie, prawdopodobnie tranzystory.
Zdjęcie poglądowe
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-263-3
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
82 W
R(DS) wł.
300 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
English
Infineon Technologies
 

746 Sztuki

Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
3,54 zł zł
9
7% = 0,26 zł
3,28 zł zł
15
10% = 0,37 zł
3,17 zł zł
30
12% = 0,44 zł
3,10 zł zł
60
15% = 0,53 zł
3,01 zł zł
120
18% = 0,62 zł
2,92 zł zł
300
21% = 0,73 zł
2,81 zł zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł

Liczba

Min.: 3
Suma (3,54 zł / Sztuka)
zł
4,35 zł
z VAT (klient indywidualny)
Zgłoś wątpliwości prawne
  • Dane techniczne
  • Warianty
  • Dokumenty i pliki do pobrania
  • Opis produktu
  • Często kupowane razem
  • Akcesoria

Dane techniczne

Model katalogowy producenta

IRF630N

Rodzaj produktu

MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika

TO-263-3

Producent

Infineon Technologies

Kod producenta

INF

Wykonanie

Kanał-N

I(d)

9.3 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS)

200 V

Moc (maks) P(TOT)

82 W

R(DS) wł.

300 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on)

5.4 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)

250 µA

Q(G)

35 nC

Napięcie odniesienia Q(G)

10 V

C(ISS)

575 pF

Napięcie odniesienia C(ISS)

25 V

Minimalna temperatura robocza

-55 °C

Sposób montażu

montaż na powierzchni

Seria (elementu półprzewodnikowego)

HEXFET®

Temperatura pracy (maks.)

+175 °C

Cecha tranzystora

standardowy

U(DSS)

200 V

Ilość kanałów

1

Zawartość

1 szt.

Specyfikacja

Kanał N

Typ

IRF630N

Opis

200 V/9.3 A

Rodzaj obudowy

TO-220

Warianty(Wszystkie ceny nie zawierają podatku VAT, bez kosztów dostawy)

Typ obudowy półprzewodnika
Natężenie odniesienia R(DS)(on)
R(DS) wł.
U(DSS)
Moc (maks) P(TOT)
C(ISS)
Sposób montażu
 
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF630N
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF630N

162421

 
Ten produkt
TO-263-3
5.4 A
300 mΩ
200 V
82 W
575 pF
montaż na powierzchni
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF1010N
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF1010N

162362

 
TO-220
43 A
11 mΩ
55 V
180 W
3210 pF
do montażu w otworach
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF1310N
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF1310N

162368

 
TO-220AB
22 A
36 mΩ
100 V
160 W
1900 pF
do montażu w otworach
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 3710, kanał N, TO 220
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 3710, kanał N, TO 220

162397

 
TO-220AB
35 A
18 mΩ
100 V
160 W
2900 pF
montaż na powierzchni
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 510, kanał N, TO 220
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 510, kanał N, TO 220

162402

 
TO-220
3.4 A
540 mΩ
100 V
43 W
180 pF
do montażu w otworach
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 520 N, kanał N, TO 220
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 520 N, kanał N, TO 220

162404

 
TO-220
5.7 A
200 mΩ
100 V
48 W
330 pF
do montażu w otworach
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 530 N, kanał N, TO 220
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 530 N, kanał N, TO 220

162410

 
TO-263-3
9 A
90 mΩ
100 V
3.8 W
920 pF
montaż na powierzchni
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 540 N, kanał N, TO 220
Tranzystor MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 540 N, kanał N, TO 220

162412

 
TO-220
16 A
44 mΩ
100 V
130 W
1960 pF
do montażu w otworach
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF610
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF610

162414

 
TO-220
2 A
1.5 Ω
200 V
36 W
140 pF
do montażu w otworach
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF640N
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF640N

162424

 
TO-220
11 A
150 mΩ
200 V
150 W
1160 pF
do montażu w otworach

Do pobrania

Karta katalogowa

English

Karta katalogowa 162421 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF630N

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162421 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF630N

Opis

Infineon Technologies IRF630N | Tranzystory MOSFET są elementami sterowanymi napięciowo i mogą być podłączane bezpośrednio do wielkooporowych źródeł. Dlatego nadają się do stosowania jako przełączniki lub wzmacniacze analogowe. Uwaga: Producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Opis

Infineon Technologies IRF630N | Tranzystory MOSFET są elementami sterowanymi napięciowo i mogą być podłączane bezpośrednio do wielkooporowych źródeł. Dlatego nadają się do stosowania jako przełączniki lub wzmacniacze analogowe. Uwaga: Producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:

  • Tranzystory polowe MOSFET z kanałem N
  • Tranzystory polowe MOSFET z kanałem P
  • Ponad 1 250 000 produktów

  • Konto handlowe

  • Wyceny RFQ i BOM

  • Wsparcie techniczne

  • Zlecenia terminowe

  • Centrum pomocy

  • Zamówienia

  • Dostawa

  • Zwrot  

  • Faktury

  • Gwarancja i reklamacje

  • Dyrektywa Omnibus w Conrad

  • O firmie

  • Conrad Sourcing Platform

  • Pracuj w Conrad

  • Aktualne promocje

  • Marki własne

  • Strefa porad

  • Certyfikaty

  • Informacje o dostępności cyfrowej

  • Usługi dla firm

  • e-Procurement

  • Zapytanie ofertowe

  • Zlecenia terminowe

  • Produkty spoza katalogu

  • Vulnerability Disclosure Program

  • Serwisy

  • Serwis kalibracji

  • Kategorie produktowe A-Z

  • Nasze marki A-Z

  • Centrum dokumentacji

  • Usługa cięcia kabli na metry

  • Katalogi

  • System zarządzania rolami zakupowymi

Newsletter

Proszę podać prawidłowy adres e-mail!

Metody płatności
  • PayU
  • PayPal
  • Blik
Media społecznościowe

Kontakt
12 622 98 00
Pon-Pt godz. 8:00-17:00
bok@conrad.pl
 

Wszystkie ceny bez podatku VAT i kosztów dostawy. Przekreślona cena to zawsze najniższa cena oferty z 30 dni przed obniżką.

Wszystkie ceny zawierają podatek VAT, nie obejmują kosztów dostawy. Przekreślona cena to zawsze najniższa cena oferty z 30 dni przed obniżką.

Benning
* Zniżka dotyczy wyłącznie produktów marki Benning dostępnych od ręki (status dostawy zielony). Oferta ważna do 28.06.2026 r. na stronie conrad.pl Nie można łączyć z innymi kodami rabatowymi. Oferta ograniczona do jednego zamówienia na klienta biznesowego/osobę prywatną. W indywidualnych przypadkach może obowiązywać ograniczenie ilościowe.

Mega Deals
* 1x na klienta biznesowego, ważny do 26.06.2026 r. na stronie conrad.pl. 10% zniżki przy minimalnej wartości towaru 400 zł netto / 15% zniżki przy minimalnej wartości towaru 1200 zł netto (wartość zatrzymanego towaru po ewentualnym zwrocie). Zniżki nie dotyczą produktów marek Apple, Samsung, BambuLab, Raspberry Pi. Nie można łączyć z innymi kodami rabatowymi. W indywidualnych przypadkach może zostać wprowadzone ograniczenie ilości sprzedaży. Promocja ważna do wyczerpania zapasów.

  • Regulamin

  • Informacje dla konsumentów

  • Polityka prywatności

  • Polityka plików cookies

Porównanie produktów
Lista obserwowanych