Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFD014PBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
HEXDIP
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
1.3 W
R(DS) wł.
200 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
Pokaż produkty alternatywne
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
4,96 zł
9
7% = 0,35 zł
4,61 zł
15
10% = 0,51 zł
4,45 zł
30
13% = 0,62 zł
4,34 zł
60
15% = 0,73 zł
4,23 zł
120
18% = 0,87 zł
4,09 zł
300
21% = 1,02 zł
3,94 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Suma (4,96 zł / Sztuka)
zł
6,10 zł
z VAT (klient indywidualny)