Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB3306PBF, TO- 220AB, kanał N

Dane techniczne

Model katalogowy producenta: IRFB3306PBF

Rodzaj produktu: MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika: TO-220AB

Producent: Infineon Technologies

Kod producenta: INF

Wykonanie: Kanał-N

I(d): 120 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 60 V

Moc (maks) P(TOT): 230 W

R(DS) wł.: 4.2 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on): 75 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V

U(GS)(th) max.: 4 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 150 µA

Q(G): 120 nC

Napięcie odniesienia Q(G): 10 V

C(ISS): 4520 pF

Napięcie odniesienia C(ISS): 50 V

Minimalna temperatura robocza: -55 °C

Sposób montażu: do montażu w otworach

Seria (elementu półprzewodnikowego): HEXFET®

Temperatura pracy (maks.): +175 °C

Cecha tranzystora: standardowy

U(DSS): 60 V

Ilość kanałów: 1

Zawartość: 1 szt.

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 160926 Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB3306PBF, TO- 220AB, kanał N

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 160926 Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB3306PBF, TO- 220AB, kanał N

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:

Tranzystory polowe MOSFET z kanałem N
Tranzystory polowe MOSFET z kanałem P