Zdjęcie poglądowe
1/2
Zdjęcie poglądowe
Diak ST Microelectronics DB 3 (= D 30/ ER 900), DO 3 = DO 35, U(Db) 32 V
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tyrystor (SCR) - DIAC
Typ obudowy półprzewodnika
DO-35
Napięcie wyjściowe
5 V
Sposób montażu
do montażu w otworach
Model katalogowy producenta
DB3 = D30 = ER900
Karta katalogowa (PDF)
2340 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
30
-
0,31 zł
90
6% = 0,02 zł
0,29 zł
150
13% = 0,04 zł
0,27 zł
300
16% = 0,05 zł
0,26 zł
600
19% = 0,06 zł
0,25 zł
1200
23% = 0,07 zł
0,24 zł
3000
26% = 0,08 zł
0,23 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 30
Suma (0,31 zł / Sztuka)
9,30 zł
0,38 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Cechy produktu
Diak ST Microelectronics
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
DB3 = D30 = ER900
- Rodzaj produktu
Tyrystor (SCR) - DIAC
- Typ obudowy półprzewodnika
DO-35
- Producent
STMicroelectronics
- Kod producenta
STM
- Napięcie zapłonowe U(GT)
32 V
- Prąd zapłonu I(GT)
50 µA
- Natężenie wsteczne I(r)
10 µA
- Szczytowy prąd wyjściowy
2 A
- Czas narastania
2 µs
- Napięcie wyjściowe
5 V
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Temperatura pracy (maks.)
+125 °C
- Minimalna temperatura robocza
-40 °C
- Zawartość
1 szt.
- Typ
D 30 = ER 900
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 186406 Diak ST Microelectronics DB 3 (= D 30/ ER 900), DO 3 = DO 35, U(Db) 32 V
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 186406 Diak ST Microelectronics DB 3 (= D 30/ ER 900), DO 3 = DO 35, U(Db) 32 V
Opis
STMicroelectronics D 30 = ER 900 |