Dioda ESD Taiwan Semiconductor 1N5408G N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma
Rodzaj produktu
Dioda ESD
Typ obudowy półprzewodnika
DO-201AD
Natężenie przewodzenia
3 mA
Napięcie przewodzenia
1 V
Karta katalogowa (PDF)
45 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
15
-
0,83 zł
45
6% = 0,05 zł
0,78 zł
75
13% = 0,11 zł
0,72 zł
150
14% = 0,12 zł
0,71 zł
300
18% = 0,15 zł
0,68 zł
600
20% = 0,17 zł
0,66 zł
1500
25% = 0,21 zł
0,62 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 15
Suma (0,83 zł / Sztuka)
12,45 zł
1,02 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Cechy produktu
Dioda ESD
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma
- Model katalogowy producenta
1N5408G
- Rodzaj produktu
Dioda ESD
- Typ obudowy półprzewodnika
DO-201AD
- Producent
Taiwan Semiconductor
- Natężenie przewodzenia
3 mA
- Napięcie przewodzenia
1 V
- Natężenie wsteczne I(r)
5.000 nA
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Temperatura pracy (maks.)
150 °C
- Sposób montażu
przewlekany
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
1N5408
- Zgodne z RoHS
Tak
- Certyfikat niezawodności AEC
AEC-Q101
- Konfiguracja (Dioda)
Pojedynczy
- U(RRM)
1.000 V
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 2992975 Dioda ESD Taiwan Semiconductor 1N5408G N/A N/A