Zdjęcie poglądowe
1/3
Zdjęcie poglądowe
Dioda Schottky`ego NXP BYV 32 E-200, TO 220 AB, I(F) 20 A, U(R) 200 V
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Dioda standardowa
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220-3
Natężenie przewodzenia
20 A
Odwrócone napięcie U(R)
200 V
Napięcie przewodzenia
1.15 V
Karta katalogowa (PDF)
511 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Liczba
Suma (1,73 zł / Sztuka)
1,73 zł
2,13 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Dioda
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BYV32E-200,127
- Rodzaj produktu
Dioda standardowa
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220-3
- Producent
WeEn Semiconductors
- Kod producenta
WeEn
- Natężenie przewodzenia
20 A
- Odwrócone napięcie U(R)
200 V
- Napięcie przewodzenia
1.15 V
- Napięcie w kierunku przewodzenia
20 A
- Natężenie wsteczne I(r)
30 µA
- Prąd wsteczny I(r) - odniesienia
200 V
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Odwrócony czas odzyskiwania T(rr)
25 ns
- Typ
BYV32E-200
- Rodzaj obudowy
TO-220AB
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 160086 Dioda Schottky`ego NXP BYV 32 E-200, TO 220 AB, I(F) 20 A, U(R) 200 V
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 160086 Dioda Schottky`ego NXP BYV 32 E-200, TO 220 AB, I(F) 20 A, U(R) 200 V
Opis
NXP Semiconductors | BYV32E-200