Rysunek techniczny
Rysunek techniczny
Dioda Schottky'ego NXP BYV 79 E-200, TO 220 AC, I(F) 14 A, U(R) 200 V
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Dioda standardowa
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220-2
Natężenie przewodzenia
14 A
Odwrócone napięcie U(R)
200 V
Napięcie przewodzenia
1.05 V
Karta katalogowa (PDF)
144 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
4,81 zł
9
7% = 0,34 zł
4,47 zł
15
10% = 0,49 zł
4,32 zł
30
12% = 0,59 zł
4,22 zł
60
15% = 0,71 zł
4,10 zł
120
17% = 0,84 zł
3,97 zł
300
20% = 0,98 zł
3,83 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 3
Suma (4,81 zł / Sztuka)
14,43 zł
5,92 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Dioda
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BYV79E-200,127
- Rodzaj produktu
Dioda standardowa
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220-2
- Producent
WeEn Semiconductors
- Kod producenta
NXP
- Natężenie przewodzenia
14 A
- Odwrócone napięcie U(R)
200 V
- Napięcie przewodzenia
1.05 V
- Napięcie w kierunku przewodzenia
14 A
- Natężenie wsteczne I(r)
50 µA
- Prąd wsteczny I(r) - odniesienia
200 V
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Odwrócony czas odzyskiwania T(rr)
30 ns
- Typ
BYV79E-200
- Rodzaj obudowy
TO-220AC
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 160126 Dioda Schottky'ego NXP BYV 79 E-200, TO 220 AC, I(F) 14 A, U(R) 200 V
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 160126 Dioda Schottky'ego NXP BYV 79 E-200, TO 220 AC, I(F) 14 A, U(R) 200 V
Opis
NXP Semiconductors | BYV79E-200