Dioda Schottky'ego Taiwan Semiconductor LL5817 L0G N/A N/A N/A U(RRM) 20 V
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma na dużej rolce
Rodzaj produktu
Dioda Schottky'ego
Typ obudowy półprzewodnika
MELF
Natężenie przewodzenia
1.000 mA
Konfiguracja (Dioda)
Single
9100 Sztuki
Liczba
Min.: 100
Vielfache: 100
Tape on Full reel
Sztuki (zawartość: )
Sztuki (zawartość: )
Suma (0,93 zł / Sztuka)
92,79 zł
1,1413 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Dioda Schottky'ego
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma na dużej rolce
- Model katalogowy producenta
LL5817 L0G
- Rodzaj produktu
Dioda Schottky'ego
- Typ obudowy półprzewodnika
MELF
- Producent
Taiwan Semiconductor
- Natężenie przewodzenia
1.000 mA
- Konfiguracja (Dioda)
Single
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
LL58_
- Napięcie przewodzenia
0.45 V
- Odwrócony czas odzyskiwania T(rr)
110 ns
- Sposób montażu
mocowanie PCB
- Zgodne z RoHS
Tak
- Zawartość
1 szt.
- U(RRM)
20 V
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3702511 Dioda Schottky'ego Taiwan Semiconductor LL5817 L0G N/A N/A N/A U(RRM) 20 V