Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Diotec 2SA1012R Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-252AA
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-5000 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-50 V
Karta katalogowa (PDF)
2362 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
10
-
3,77 zł
30
7% = 0,27 zł
3,50 zł
50
10% = 0,39 zł
3,38 zł
100
12% = 0,47 zł
3,30 zł
200
15% = 0,56 zł
3,21 zł
400
18% = 0,66 zł
3,11 zł
1000
20% = 0,77 zł
3,00 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 10
Suma (3,77 zł / Sztuka)
37,70 zł
4,64 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
2SA1012R
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-252AA
- Producent
Diotec
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
-5000 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-50 V
- Saturacja VCE (maks.)
400 mV
- Moc (maks) P(TOT)
5 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
150
- Częstotliwość przejść f(T)
1 MHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zgodne z RoHS
Tak
- Zawartość
1 szt.
- Temperatura pracy (maks.)
150 °C
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 2809006 Diotec 2SA1012R Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 2809006 Diotec 2SA1012R Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.