Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Diotec BC846PN-AQ Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-363
Wykonanie
NPN
PNP
Prąd kolektora I(C)
100 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
65 V
Karta katalogowa (PDF)
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
500
-
0,26 zł
1500
8% = 0,02 zł
0,24 zł
2500
12% = 0,03 zł
0,23 zł
5000
15% = 0,04 zł
0,22 zł
10000
19% = 0,05 zł
0,21 zł
20000
23% = 0,06 zł
0,20 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 500
Suma (0,26 zł / Sztuka)
130,00 zł
0,32 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
BJT, SOT-363, 65V, 100mA, NPN+PNP
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Typ: SMD
- Obudowa: SOT-363
- Napięcie kolektor-emiter - VCEO: 65V
- Prąd kolektora DC - IC: 100mA
- Polaryzacja - biegun: NPN+PNP
- Temperatura złącza - Tjmax: 150°C
- Rozpraszanie mocy — Pcał.: 0,250 W
- Współczynnik prądowy bazy kolektora - hfe: 280
- VCE: 5V
- Układ scalony: 2mA
- Napięcie nasycenia kolektora - VCEsat: 650 mV
- Układ scalony: 100mA
- IB: 5mA
- Częstotliwość tranzytowa - stopy: 100 MHz
- Układ scalony: 5mA
- VCE: 10V
- f: 10MHz
- Model katalogowy producenta
BC846PN-AQ
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-363
- Producent
Diotec
- Wykonanie
NPN
PNP
- Prąd kolektora I(C)
100 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
65 V
- Saturacja VCE (maks.)
650 mV
- Moc (maks) P(TOT)
0.25 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
280
- Częstotliwość przejść f(T)
10 MHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zgodne z RoHS
Tak
- Zawartość
1 szt.
- Temperatura pracy (maks.)
150 °C
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 2809220 Diotec BC846PN-AQ Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.