Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Diotec BC846S Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-363
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
100 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
65 V
Karta katalogowa (PDF)
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
750
-
0,80 zł
2250
6% = 0,05 zł
0,75 zł
3750
13% = 0,10 zł
0,70 zł
7500
16% = 0,13 zł
0,67 zł
15000
19% = 0,15 zł
0,65 zł
30000
21% = 0,17 zł
0,63 zł
75000
26% = 0,21 zł
0,59 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 750
Suma (0,80 zł / Sztuka)
600,00 zł
0,98 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Bezpłatna dostawa
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
BJT, SOT-363, 65V, 100mA, NPN
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Typ: SMD
- Obudowa: SOT-363
- Napięcie kolektor-emiter - VCEO: 65V
- Prąd kolektora DC - IC: 100mA
- Polaryzacja - biegun: NPN
- Temperatura złącza - Tjmax: 150°C
- Rozpraszanie mocy — Pcał.: 0,250 W
- Współczynnik prądu bazy kolektora - hfe: 270
- VCE: 5V
- Układ scalony: 2mA
- Napięcie nasycenia kolektora - VCEsat: 650 mV
- Układ scalony: 100mA
- IB: 5mA
- Częstotliwość tranzytowa - stopy: 100 MHz
- Układ scalony: 10mA
- VCE: 5V
- f: 100MHz
- Model katalogowy producenta
BC846S
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-363
- Producent
Diotec
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
100 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
65 V
- Saturacja VCE (maks.)
650 mV
- Moc (maks) P(TOT)
0.25 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
270
- Częstotliwość przejść f(T)
100 MHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zgodne z RoHS
Tak
- Zawartość
1 szt.
- Temperatura pracy (maks.)
150 °C
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 2809221 Diotec BC846S Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 2809221 Diotec BC846S Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.