Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Diotec BC847PN Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-363
Wykonanie
NPN
PNP
Prąd kolektora I(C)
100 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
45 V
Karta katalogowa (PDF)
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
750
-
0,20 zł
2250
5% = 0,01 zł
0,19 zł
3750
10% = 0,02 zł
0,18 zł
7500
15% = 0,03 zł
0,17 zł
15000
20% = 0,04 zł
0,16 zł
30000
25% = 0,05 zł
0,15 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 750
Suma (0,20 zł / Sztuka)
150,00 zł
0,25 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
BJT, SOT-363, 45V, 100mA, NPN+PNP
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Typ: SMD
- Obudowa: SOT-363
- Napięcie kolektor-emiter - VCEO: 45V
- Prąd kolektora DC - IC: 100mA
- Polaryzacja - biegun: NPN+PNP
- Temperatura złącza - Tjmax: 150°C
- Rozpraszanie mocy - Ptot: 0,200 W
- Współczynnik prądowy bazy kolektora - hfe: 300
- VCE: 1V
- Układ scalony: 10mA
- Napięcie nasycenia kolektora - VCEsat: 300 mV
- Układ scalony: 50mA
- IB: 5mA
- Częstotliwość tranzytowa - stopy: 300 MHz
- Układ scalony: 10mA
- VCE: 20V
- f: 100MHz
- Model katalogowy producenta
BC847PN
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-363
- Producent
Diotec
- Wykonanie
NPN
PNP
- Prąd kolektora I(C)
100 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
45 V
- Saturacja VCE (maks.)
300 mV
- Moc (maks) P(TOT)
0.2 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
300
- Częstotliwość przejść f(T)
100 MHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zgodne z RoHS
Tak
- Zawartość
1 szt.
- Temperatura pracy (maks.)
150 °C
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 2809236 Diotec BC847PN Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 2809236 Diotec BC847PN Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.