Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Diotec BC859BW Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-323
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
100 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
30 V
Karta katalogowa (PDF)
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
750
-
0,15 zł
2250
7% = 0,01 zł
0,14 zł
3750
13% = 0,02 zł
0,13 zł
7500
20% = 0,03 zł
0,12 zł
15000
27% = 0,04 zł
0,11 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 750
Suma (0,15 zł / Sztuka)
112,50 zł
0,18 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BC859BW
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-323
- Producent
Diotec
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
100 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
30 V
- Saturacja VCE (maks.)
650 mV
- Moc (maks) P(TOT)
0.2 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
290
- Częstotliwość przejść f(T)
100 MHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zgodne z RoHS
Tak
- Zawartość
1 szt.
- Temperatura pracy (maks.)
150 °C
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 2809299 Diotec BC859BW Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 2809299 Diotec BC859BW Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.