Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Diotec MMBT5551 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
600 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
160 V
Karta katalogowa (PDF)
839 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
100
-
0,14 zł
300
7% = 0,01 zł
0,13 zł
500
14% = 0,02 zł
0,12 zł
1000
21% = 0,03 zł
0,11 zł
2000
29% = 0,04 zł
0,10 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 100
Suma (0,14 zł / Sztuka)
14,00 zł
0,17 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
MMBT5551
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
Diotec
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
600 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
160 V
- Saturacja VCE (maks.)
200 mV
- Moc (maks) P(TOT)
0.25 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
250
- Częstotliwość przejść f(T)
100 MHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zgodne z RoHS
Tak
- Zawartość
1 szt.
- Temperatura pracy (maks.)
150 °C
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 2810129 Diotec MMBT5551 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 2810129 Diotec MMBT5551 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.