Infineon Technologies BCW66KHE6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma na dużej rolce
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
0.1 A
500 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
100
-
0,51005 zł
300
6% = 0,03 zł
0,47889 zł
500
13% = 0,07 zł
0,44502 zł
1000
15% = 0,08 zł
0,43263 zł
2000
18% = 0,09 zł
0,41870 zł
4000
21% = 0,11 zł
0,40320 zł
10000
26% = 0,13 zł
0,37836 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 100
Tape on Full reel
Sztuki (zawartość: )
Sztuki (zawartość: )
Suma (0,51005 zł / Sztuka)
51,01 zł
0,62736 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystory małej mocy SMD BC_ SOT23
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma na dużej rolce
- Model katalogowy producenta
BCW66KHE6327HTSA1
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
Infineon Technologies
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
0.1 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
32 V
- Moc (maks) P(TOT)
0.33 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
380 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
0.25 GHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027430 Infineon Technologies BCW66KHE6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.