Infineon Technologies BFN26E6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma na dużej rolce
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
0.8 A
90 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
10
-
1,19065 zł
30
6% = 0,07 zł
1,11790 zł
50
13% = 0,15 zł
1,03885 zł
100
15% = 0,18 zł
1,00991 zł
200
18% = 0,21 zł
0,97741 zł
400
21% = 0,25 zł
0,94121 zł
1000
26% = 0,31 zł
0,88323 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 10
Tape on Full reel
Sztuki (zawartość: )
Sztuki (zawartość: )
Suma (1,19065 zł / Sztuka)
11,91 zł
1,4645 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystory wysokonapięciowe SMD BCX_, BF_,
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma na dużej rolce
- Model katalogowy producenta
BFN26E6327HTSA1
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
Infineon Technologies
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
0.8 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
32 V
- Moc (maks) P(TOT)
0.33 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
250 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
0.2 GHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027438 Infineon Technologies BFN26E6327HTSA1 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.