Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
MOSFET Infineon Technologies IRF1104PBF N/A N/A IRF1104PBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
170 W
R(DS) wł.
9 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
49 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Liczba
Suma (3,67 zł / Sztuka)
6,68 zł
-45 %
3,67 zł
4,51 zł
z VAT (klient indywidualny)
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
MOSFET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRF1104PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
100 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
40 V
- Moc (maks) P(TOT)
170 W
- R(DS) wł.
9 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
60 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
93 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
2900 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
40 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 563940 MOSFET Infineon Technologies IRF1104PBF N/A N/A IRF1104PBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 563940 MOSFET Infineon Technologies IRF1104PBF N/A N/A IRF1104PBF
Opis
Infineon Technologies IRF1104PBF |