Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
MOSFET Infineon Technologies IRF5305PBF N/A N/A IRF5305PBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
Kanał-P
Moc (maks) P(TOT)
110 W
R(DS) wł.
60 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
174 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
6,37 zł
10
7% = 0,45 zł
5,92 zł
25
10% = 0,65 zł
5,72 zł
50
12% = 0,79 zł
5,58 zł
100
15% = 0,95 zł
5,42 zł
500
18% = 1,12 zł
5,25 zł
1000
21% = 1,31 zł
5,06 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (6,37 zł / Sztuka)
6,37 zł
7,84 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
MOSFET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRF5305PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-P
- I(d)
31 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
55 V
- Moc (maks) P(TOT)
110 W
- R(DS) wł.
60 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
16 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
63 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
1200 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
55 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 563967 MOSFET Infineon Technologies IRF5305PBF N/A N/A IRF5305PBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 563967 MOSFET Infineon Technologies IRF5305PBF N/A N/A IRF5305PBF