Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
MOSFET Infineon Technologies IRF630NPBF N/A N/A IRF630NPBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
82 W
R(DS) wł.
300 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
4 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
5,71 zł
9
7% = 0,40 zł
5,31 zł
15
10% = 0,59 zł
5,12 zł
30
12% = 0,71 zł
5,00 zł
60
15% = 0,85 zł
4,86 zł
120
18% = 1,00 zł
4,71 zł
300
20% = 1,17 zł
4,54 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 3
Suma (5,71 zł / Sztuka)
17,13 zł
7,02 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Dostępnych jest tylko 4 sztuka
Cechy produktu
MOSFET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRF630NPBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
9.3 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
200 V
- Moc (maks) P(TOT)
82 W
- R(DS) wł.
300 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
5.4 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
575 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
200 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 563977 MOSFET Infineon Technologies IRF630NPBF N/A N/A IRF630NPBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 563977 MOSFET Infineon Technologies IRF630NPBF N/A N/A IRF630NPBF