Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
MOSFET Infineon Technologies IRFB3006PBF N/A N/A IRFB3006PBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
375 W
R(DS) wł.
2.5 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
28 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
12,67 zł
10
7% = 0,95 zł
11,72 zł
25
10% = 1,32 zł
11,35 zł
50
12% = 1,57 zł
11,10 zł
100
15% = 1,86 zł
10,81 zł
250
17% = 2,17 zł
10,50 zł
500
21% = 2,60 zł
10,07 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (12,67 zł / Sztuka)
zł
15,58 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFB3006PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
195 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
60 V
- Moc (maks) P(TOT)
375 W
- R(DS) wł.
2.5 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
170 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
300 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
8970 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
50 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
60 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 564023 MOSFET Infineon Technologies IRFB3006PBF N/A N/A IRFB3006PBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 564023 MOSFET Infineon Technologies IRFB3006PBF N/A N/A IRFB3006PBF
Opis
Infineon Technologies IRFB3006PBF |