Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
MOSFET Infineon Technologies IRFB4127PBF N/A N/A IRFB4127PBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
375 W
R(DS) wł.
20 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
1010 Sztuki
Liczba
Min.: 10
Vielfache: 10
Suma (8,85 zł / Sztuka)
88,50 zł
10,89 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
MOSFET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFB4127PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
76 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
200 V
- Moc (maks) P(TOT)
375 W
- R(DS) wł.
20 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
44 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
150 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
5380 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
50 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
200 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 564026 MOSFET Infineon Technologies IRFB4127PBF N/A N/A IRFB4127PBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 564026 MOSFET Infineon Technologies IRFB4127PBF N/A N/A IRFB4127PBF
Opis
Infineon Technologies IRFB4127PBF |