Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
MOSFET Infineon Technologies IRFP2907PBF N/A N/A IRFP2907PBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-247-3
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
470 W
R(DS) wł.
4.5 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
27 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
16,74 zł
5
7% = 1,09 zł
15,65 zł
10
9% = 1,53 zł
15,21 zł
25
11% = 1,82 zł
14,92 zł
50
13% = 2,15 zł
14,59 zł
100
15% = 2,51 zł
14,23 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (16,74 zł / Sztuka)
16,74 zł
20,59 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
MOSFET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFP2907PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-247-3
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
209 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
75 V
- Moc (maks) P(TOT)
470 W
- R(DS) wł.
4.5 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
125 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
620 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
13000 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
75 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 564060 MOSFET Infineon Technologies IRFP2907PBF N/A N/A IRFP2907PBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 564060 MOSFET Infineon Technologies IRFP2907PBF N/A N/A IRFP2907PBF
Opis
Infineon Technologies IRFP2907PBF |