Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
MOSFET Infineon Technologies IRFP90N20DPBF N/A N/A IRFP90N20DPBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-247-3
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
580 W
R(DS) wł.
23 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
110 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
5
-
22,67 zł
15
6% = 1,47 zł
21,20 zł
25
9% = 2,07 zł
20,60 zł
50
11% = 2,47 zł
20,20 zł
100
13% = 2,91 zł
19,76 zł
200
15% = 3,40 zł
19,27 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 5
Vielfache: 5
Suma (22,67 zł / Sztuka)
113,35 zł
27,88 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
MOSFET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFP90N20DPBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-247-3
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
94 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
200 V
- Moc (maks) P(TOT)
580 W
- R(DS) wł.
23 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
56 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
270 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
6040 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
200 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 564074 MOSFET Infineon Technologies IRFP90N20DPBF N/A N/A IRFP90N20DPBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 564074 MOSFET Infineon Technologies IRFP90N20DPBF N/A N/A IRFP90N20DPBF
Opis
Infineon Technologies IRFP90N20DPBF |