Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
MOSFET ON Semiconductor 2N7000TA N/A N/A 2N7000TA
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
400 mW
R(DS) wł.
5 Ω
1465 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Liczba
Suma (0,36 zł / Sztuka)
1,36 zł
-74 %
0,36 zł
0,44 zł
z VAT (klient indywidualny)
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
MOSFET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
2N7000TA
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
200 mA
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
60 V
- Moc (maks) P(TOT)
400 mW
- R(DS) wł.
5 Ω
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
500 mA
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
1 mA
- C(ISS)
50 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
60 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1262890 MOSFET ON Semiconductor 2N7000TA N/A N/A 2N7000TA
Opis
ON Semiconductor | 2N7000TA