MOSFET Vishay SI4532CDY-T1-GE3 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma na dużej rolce
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
SOIC-8
Wykonanie
Kanał-N
Kanał-P
Moc (maks) P(TOT)
1.78 W
Karta katalogowa (PDF)
Liczba
Min.: 50
Vielfache: 50
Tape on Full reel
Sztuki (zawartość: )
Sztuki (zawartość: )
Suma (2,87 zł / Sztuka)
143,70 zł
3,535 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
MOSFET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma na dużej rolce
- Model katalogowy producenta
SI4532CDY-T1-GE3
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
SOIC-8
- Producent
Vishay
- Wykonanie
Kanał-N
Kanał-P
- I(d)
6 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
30 V
- Moc (maks) P(TOT)
1.78 W
- R(DS) wł.
0.14 Ω
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Temperatura pracy (maks.)
150 °C
- Ilość kanałów
2
- Zawartość
1 szt.
- Wysokość produktu
0.00 mm
- Długość produktu
0 mm
- Szerokość produktu
0.00 mm
- Waga
0
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3026546 MOSFET Vishay SI4532CDY-T1-GE3 N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3026546 MOSFET Vishay SI4532CDY-T1-GE3 N/A N/A