Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Nexperia BC857B,215 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-100 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-45 V
Karta katalogowa (PDF)
267000 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
500
-
0,14 zł
1500
7% = 0,01 zł
0,13 zł
2500
14% = 0,02 zł
0,12 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 500
Vielfache: 500
Suma (0,14 zł / Sztuka)
70,00 zł
0,17 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BC857B,215
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
Nexperia
- Kod producenta
NEX
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
-100 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-45 V
- Saturacja VCE (maks.)
-650 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
-15 nA
- Moc (maks) P(TOT)
250 mW
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
Technique automobile/AEC-Q101
- Wzmocnienie DC (hFE)
220
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
-2 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
-5 V
- Częstotliwość przejść f(T)
100 MHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 1112865 Nexperia BC857B,215 Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Opis
Nexperia BC857B,215 |