• Platform for Everything Technical
  • Szybka dostawa
  • Szeroki wybór usług i produktów
  • Gwarantowana możliwość zwrotu

ON Semiconductor 2N3906TA Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.

Zdjęcie poglądowe
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-200 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-40 V
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Szybka dostawa w śr. 28.10

60 Sztuki

Liczba
Min.: 30
Suma (0,71 zł / Sztuka)
21,30 zł
0,58 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Wewnątrzwspólnotowa dostawa towarów Cena brutto 
bez 19,99 zł 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
bez dodatkowych kosztów dostawy 
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie

Cechy produktu

Tranzystor (BJT) - dykretny

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta

2N3906TA

Rodzaj produktu

Tranzystor (BJT) - dykretny

Typ obudowy półprzewodnika

TO-92-3

Producent

ON Semiconductor

Kod producenta

OnS

Ilość kanałów

1

Wykonanie

PNP

Prąd kolektora I(C)

-200 mA

Napięcie kolektor - emiter U(CEO)

-40 V

Saturacja VCE (maks.)

-400 mV

Moc (maks) P(TOT)

625 mW

Wzmocnienie DC (hFE)

100

Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE

-10 mA

Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE

-1 V

Częstotliwość przejść f(T)

250 MHz

Sposób montażu

do montażu w otworach

Zawartość

1 szt.

Opis

ON Semiconductor | 2N3906TA

Często kupowane razem

(* Podane ceny są cenami netto)
Suma:

34,85 zł*

Akcesoria

(* Podane ceny są cenami netto)

Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria

Ostatnio oglądane

(* Podane ceny są cenami netto)