Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor 2N4403BU Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-600 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-40 V
54 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
20
-
0,63 zł
60
6% = 0,04 zł
0,59 zł
100
13% = 0,08 zł
0,55 zł
200
14% = 0,09 zł
0,54 zł
400
17% = 0,11 zł
0,52 zł
800
21% = 0,13 zł
0,50 zł
2000
25% = 0,16 zł
0,47 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 20
Suma (0,63 zł / Sztuka)
12,60 zł
0,77 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
2N4403BU
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
-600 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-40 V
- Saturacja VCE (maks.)
-750 mV
- Moc (maks) P(TOT)
625 mW
- Wzmocnienie DC (hFE)
100
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
-150 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
-2 V
- Częstotliwość przejść f(T)
200 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Opis
ON Semiconductor | 2N4403BU