ON Semiconductor 2N6488G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
tuba
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
15 A
Karta katalogowa (PDF)
1250 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
50
-
4,81 zł
150
7% = 0,34 zł
4,47 zł
250
10% = 0,49 zł
4,32 zł
500
12% = 0,59 zł
4,22 zł
1000
15% = 0,71 zł
4,10 zł
2000
17% = 0,84 zł
3,97 zł
5000
20% = 0,98 zł
3,83 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 50
Vielfache: 50
Suma (4,81 zł / Sztuka)
240,50 zł
5,92 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
tuba
- Model katalogowy producenta
2N6488G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
ON Semiconductor
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
15 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
80 V
- Moc (maks) P(TOT)
75 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
20 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
0.005 GHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027553 ON Semiconductor 2N6488G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027553 ON Semiconductor 2N6488G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.