Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor BC32740BU Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-800 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-45 V
441 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
20
-
0,95 zł
60
6% = 0,06 zł
0,89 zł
100
13% = 0,12 zł
0,83 zł
200
16% = 0,15 zł
0,80 zł
400
18% = 0,17 zł
0,78 zł
800
21% = 0,20 zł
0,75 zł
2000
25% = 0,24 zł
0,71 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 20
Suma (0,95 zł / Sztuka)
19,00 zł
1,17 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BC32740BU
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
-800 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-45 V
- Saturacja VCE (maks.)
-700 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
-100 nA
- Moc (maks) P(TOT)
625 mW
- Wzmocnienie DC (hFE)
250
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
-100 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
-1 V
- Częstotliwość przejść f(T)
100 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Opis
ON Semiconductor | BC32740BU