Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor BC33716TA Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
800 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
45 V
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
30
-
0,45 zł
90
7% = 0,03 zł
0,42 zł
150
13% = 0,06 zł
0,39 zł
300
16% = 0,07 zł
0,38 zł
600
18% = 0,08 zł
0,37 zł
1200
22% = 0,10 zł
0,35 zł
3000
27% = 0,12 zł
0,33 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Suma (0,45 zł / Sztuka)
13,50 zł
0,55 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BC33716TA
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
800 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
45 V
- Saturacja VCE (maks.)
700 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
100 nA
- Moc (maks) P(TOT)
625 mW
- Wzmocnienie DC (hFE)
100
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
100 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
1 V
- Częstotliwość przejść f(T)
100 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1262945 ON Semiconductor BC33716TA Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Opis
ON Semiconductor | BC33716TA