Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor BC33725BU Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
800 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
45 V
88 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
15
-
1,05 zł
45
7% = 0,07 zł
0,98 zł
75
12% = 0,13 zł
0,92 zł
150
15% = 0,16 zł
0,89 zł
300
18% = 0,19 zł
0,86 zł
600
21% = 0,22 zł
0,83 zł
1500
26% = 0,27 zł
0,78 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 15
Suma (1,05 zł / Sztuka)
15,75 zł
1,29 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BC33725BU
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
800 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
45 V
- Saturacja VCE (maks.)
700 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
100 nA
- Moc (maks) P(TOT)
625 mW
- Wzmocnienie DC (hFE)
160
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
100 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
1 V
- Częstotliwość przejść f(T)
100 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Opis
ON Semiconductor | BC33725BU