• Platform for Everything Technical
  • Szybka dostawa
  • Szeroki wybór usług i produktów
  • Gwarantowana możliwość zwrotu

ON Semiconductor BC33725BU Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.

Zdjęcie poglądowe
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
800 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
45 V
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Dostawa w pt. 6.11

445 Sztuki

Liczba
Min.: 10
Suma (1,29 zł / Sztuka)
1,29 zł
1,05 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Wewnątrzwspólnotowa dostawa towarów Cena brutto 
bez 19,99 zł 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
bez dodatkowych kosztów dostawy 
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie

Cechy produktu

Tranzystor (BJT) - dykretny

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta

BC33725BU

Rodzaj produktu

Tranzystor (BJT) - dykretny

Typ obudowy półprzewodnika

TO-92-3

Producent

ON Semiconductor

Kod producenta

OnS

Ilość kanałów

1

Wykonanie

NPN

Prąd kolektora I(C)

800 mA

Napięcie kolektor - emiter U(CEO)

45 V

Saturacja VCE (maks.)

700 mV

Prąd upływu kolektora I(CES)

100 nA

Moc (maks) P(TOT)

625 mW

Wzmocnienie DC (hFE)

160

Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE

100 mA

Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE

1 V

Częstotliwość przejść f(T)

100 MHz

Sposób montażu

do montażu w otworach

Zawartość

1 szt.

Opis

ON Semiconductor | BC33725BU

Często kupowane razem

(* Podane ceny są cenami netto)
Suma:

26,45 zł*

Akcesoria

(* Podane ceny są cenami netto)

Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria

Ostatnio oglądane

(* Podane ceny są cenami netto)