Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor BC516_D27Z Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
Wykonanie
PNP - Darlington
Prąd kolektora I(C)
-1 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-30 V
1195 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
10
-
0,75 zł
30
7% = 0,05 zł
0,70 zł
50
13% = 0,10 zł
0,65 zł
100
16% = 0,12 zł
0,63 zł
200
17% = 0,13 zł
0,62 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 10
Suma (0,75 zł / Sztuka)
7,50 zł
0,92 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BC516_D27Z
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
PNP - Darlington
- Prąd kolektora I(C)
-1 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-30 V
- Saturacja VCE (maks.)
-1 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
-100 nA
- Moc (maks) P(TOT)
625 mW
- Wzmocnienie DC (hFE)
30000
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
-20 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
-2 V
- Częstotliwość przejść f(T)
200 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1262951 ON Semiconductor BC516_D27Z Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Opis
ON Semiconductor | BC516_D27Z