Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor BC550CBU Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
100 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
45 V
487 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
20
-
0,70 zł
60
6% = 0,04 zł
0,66 zł
100
13% = 0,09 zł
0,61 zł
200
16% = 0,11 zł
0,59 zł
400
17% = 0,12 zł
0,58 zł
800
21% = 0,15 zł
0,55 zł
2000
26% = 0,18 zł
0,52 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 20
Suma (0,70 zł / Sztuka)
14,00 zł
0,86 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BC550CBU
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
100 mA
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
45 V
- Saturacja VCE (maks.)
600 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
15 nA
- Moc (maks) P(TOT)
500 mW
- Wzmocnienie DC (hFE)
420
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
2 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
5 V
- Częstotliwość przejść f(T)
300 MHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Opis
ON Semiconductor | BC550CBU