ON Semiconductor BC858CLT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma na dużej rolce
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
PNP
Prąd kolektora I(C)
-0.1 A
Karta katalogowa (PDF)
13000 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
500
-
0,33407 zł
1500
6% = 0,02 zł
0,31365 zł
2500
13% = 0,04 zł
0,29147 zł
5000
15% = 0,05 zł
0,28336 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 500
Vielfache: 500
Tape on Full reel
Sztuki (zawartość: )
Sztuki (zawartość: )
Suma (0,33407 zł / Sztuka)
0,42 zł
-20 %
167,04 zł
0,41091 zł
z VAT (klient indywidualny)
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
taśma na dużej rolce
- Model katalogowy producenta
BC858CLT1G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
ON Semiconductor
- Wykonanie
PNP
- Prąd kolektora I(C)
-0.1 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
-30 V
- Moc (maks) P(TOT)
0.225 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
420 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
0.1 GHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027543 ON Semiconductor BC858CLT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027543 ON Semiconductor BC858CLT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.