Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor BD13916STU Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-126
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
1.5 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
80 V
79 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
5
-
4,08 zł
15
7% = 0,28 zł
3,80 zł
25
10% = 0,42 zł
3,66 zł
50
12% = 0,50 zł
3,58 zł
100
15% = 0,60 zł
3,48 zł
200
17% = 0,71 zł
3,37 zł
500
21% = 0,84 zł
3,24 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 5
Suma (4,08 zł / Sztuka)
20,40 zł
5,02 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BD13916STU
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-126
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
1.5 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
80 V
- Saturacja VCE (maks.)
500 mV
- Prąd upływu kolektora I(CES)
100 nA
- Moc (maks) P(TOT)
1.25 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
100
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
150 mA
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
2 V
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1263037 ON Semiconductor BD13916STU Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Opis
ON Semiconductor | BD13916STU