Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor BD241CTU Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
3 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
100 V
1998 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Liczba
Suma (1,42 zł / Sztuka)
1,42 zł
1,75 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BD241CTU
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
3 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
100 V
- Saturacja VCE (maks.)
1.2 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
300 µA
- Moc (maks) P(TOT)
40 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
25
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
1 A
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
4 V
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1263050 ON Semiconductor BD241CTU Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Opis
ON Semiconductor | BD241CTU