Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
ON Semiconductor BD439G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
towar pakowany luzem
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-126
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
4 A
Karta katalogowa (PDF)
1950 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
50
-
4,96 zł
150
7% = 0,35 zł
4,61 zł
250
10% = 0,51 zł
4,45 zł
500
13% = 0,62 zł
4,34 zł
1000
15% = 0,73 zł
4,23 zł
2000
18% = 0,87 zł
4,09 zł
5000
21% = 1,02 zł
3,94 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 50
Vielfache: 50
Suma (4,96 zł / Sztuka)
248,00 zł
6,10 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Cechy produktu
Tranzystory mocy BD_ TO126, TO220
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Opakowanie
towar pakowany luzem
- Model katalogowy producenta
BD439G
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-126
- Producent
ON Semiconductor
- Wykonanie
NPN
- Prąd kolektora I(C)
4 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
60 V
- Moc (maks) P(TOT)
36 W
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
20 µA
- Częstotliwość przejść f(T)
0.003 GHz
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027564 ON Semiconductor BD439G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.